电子科大微机原理chapter5习题解答.pdfVIP

以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子》

5.10用16KX1位的DRAM芯片组成64KX8位存储器，要求：

(1)画出该存储器的组成逻辑框图。

(2)设存储器读/写周期为0.5卩SQPU在1yS内至多要访问一次。试问采用哪种

刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所

需的实际刷新时间是多少？

1DRAMN=64K*8/16K*1=4*8

()组建存储器共需芯片数()()(片)。

每8片组成16KX8位的存储区，A13~A0作为片内地址，用A15、A14经2:4译码器

产生片选信号：，逻辑框图如下(图有误：应该每组8片，每片数据线为1根)

216KX8128X1282ms

()设位存储芯片的阵列结构为行列，刷新周期为。因为刷新每行需

0.5yS,则两次(行)刷新的最大时间间隔应小于：

心遊呵

“55(

128

为保证在每个1yS内都留出0.5yS给CPU访问内存，因此该DRAM适合采用分散式或异步式刷新

方式，而不能采用集中式刷新方式。

/1yS,0.5yS0.5yS

若采用分散刷新方式，则每个存储器读写周期可视为前用于读写，后用于

刷新。相当于每1yS刷新一行，刷完一遍需要128X1yS=128yS,满足刷新周期

小于2ms的要求；

若采用异步刷新方式，则应保证两次刷新的时间间隔小于15.5yS如每隔14个读

写周期刷新一行，相当于每15yS刷新一行，刷完一遍需要128x15yS=1920yS,满足刷新周期小于

2ms的要求；

需要补充的知识：

刷新周期：从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔。刷

新周期通常可以是2ms，4ms或8ms。

DRAM一般是按行刷新，常用的刷新方式包括：

/

集中式：正常读写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。

以家为家，以乡为乡，以国为国，以天下为天下。——《管子》

/

特点：存在一段停止读写操作的死时间，适用于高速存储器。

DRAM1282ms/0.5

(共行，刷新周期为,读写涮新时间均为诃