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士不可以不弘毅,任重而道远。仁以为己任,不亦重乎?死而后已,不亦远乎?——《论语》

晶体管发展历程回顾

来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)编译自「design-

reuse」,作者:ByPavanHVora,RonakLad(EinfochipsPvt.Ltd.),

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1984篇原创内容

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1958年,德州仪器(TI)使用两个晶体管制造了第一台集成电路

触发器。今天的芯片包含超过百亿个晶体管。曾经可以支持整个公司

会计系统的内存现在变成了一个人们随身携带的智能手机。这种增长

规模是由于晶体管的规模不断扩大以及硅制造工艺的其他改进所致。

在这个发展过程中,除了工艺继续演进以外,晶体管也做了几次变迁。

在即将进入全新一代的晶体管以前,我们来回顾一下前几代晶体管的

发展。

历史真空管的发明推动了电子工业的发展。这些装置将控制真空

士不可以不弘毅,任重而道远。仁以为己任,不亦重乎?死而后已,不亦远乎?——《论语》

中的电子流动。但是,在第二次世界大战之后,据观察,由于大量的

分立组件,这些设备的复杂性和功耗正在显着增加。结果,设备的性

能将持续下降。一个例子是一架波音B-29,它在战争中将由300-

1000个真空管组成。每增加一个组件都会降低其可靠性并增加故障排

除时间。

1947年这取得了重大突破,贝尔实验室的JohnBaden,William

Shockley和WatterBrattain推出了第一个功能点接触锗晶体管。

1950年,肖克利开发了第一个双极结型晶体管(BJT)。与真空管相

比,晶体管更可靠,功率效率更高,尺寸更小。晶体管是一个三端设

备,可以看作是一个电控开关。其中一个终端用作控制端子。理想情

况下,如果将电流施加到控制端子,则该设备将充当两个端子之间的

闭合开关,否则将充当断开开关。1958年,德州仪器(TI)的Jack

Kilby建立了第一个集成电路,该集成电路由连接在一块硅上的两个双

极晶体管组成,从而开启了“硅时代”。早期的IC使用双极结型晶体

管。BJT的缺点之一是由于更多的静态功耗而产生的问题。这意味着即

使电路不切换也要消耗功率。这限制了可以集成到单个硅芯片中的晶

体管的最大数量。

1963年,Fairchild的FrankWanlass和CTSah推出了第一款逻

辑门,其中在互补对称电路配置中使用了n沟道和p沟道晶体管。这

就是今天所谓的CMOS。静态功耗几乎为零。

早期的IC使用NMOS技术,因为与CMOS技术相比,NMOS工

艺相当简单,价格便宜并且可以将更多设备封装到一个芯片中。英特

尔于1971年发布了第一个微处理器。

由于NMOS晶体管的静态功耗要比CMOS高,因此IC的功耗在

1980年代成为一个

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