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硅集成电路工艺期末复习题目答案.pdf

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去留无意,闲看庭前花开花落;宠辱不惊,漫随天外云卷云舒。——《幽窗小记》

一、名词解释1化学气相沉积化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应在表面上

以薄膜形式产生固态的副产品其它的副产品是挥发性的会从表面离开。2物理气相

沉积物理气相沉积“”通常指满意下面三个步骤的一类薄膜生长技术:a.所生长的材

料以物理的方式由固体转化为气体b.生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底c.

蒸汽在衬底表面上凝聚形成薄膜3溅射镀膜溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中

产生出来的带电离子进行加速使其获得一定的动能后轰击靶电极将靶电极的原子溅

射出来沉积到衬底形成薄膜的方法。4蒸发镀膜加热蒸发源使原子或分子从蒸发源

表面逸出形成蒸汽流并入射到硅片衬底表面凝结形成固态薄膜。5替位式扩散占据

晶格位置的外来原子称为替位杂质。只有当替位杂质的近邻晶格上出现空位替位杂

质才能比较轻易地运动到近邻空位上6间隙式扩散间隙式扩散指间隙式杂质从一个

间隙位置运动到相邻的间隙位置。7有限表面源扩散扩散开始时表面放入一定量的

杂质源而在以后的扩散过程中不再有杂质加入此种扩散称为有限源扩散。8恒定表

面源扩散在整个扩散过程中杂质不断进入硅中而表面杂质浓度始终保持不变。9横

向扩散由于光刻胶无法承受高温过程扩散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。当原子扩

散进入硅片它们向各个方向运动向硅的内部横向和重新离开硅片。假如杂质原子沿

硅片表面方向迁移就发生了横向扩散。10保形覆盖保形覆盖是指无论衬底表面有什

么样的倾斜图形在所有图形的上面都能沉积有相同厚度的薄膜。二、简述题1、简

述两步扩散的含义与目的。答为了同时满足对表面浓度、杂质总量以及结深等的要

求实际生产中常采用两步扩散工艺第一步称为预扩散或预淀积在较低的温度下采用

恒定表面源扩散方式在硅片表面扩散一层杂质原子其分布为余误差涵数目的在于控

制扩散杂质总量第二步称为主扩散或再分布将表面已沉积杂质的硅片在较高温度下

扩散以控制扩散深度和表面浓度主扩散的同时也往往进行氧化。2、扩散掺杂与离

子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么与扩散掺杂相比离子注入掺杂

的优势与缺点各是什么答扩散杂质所形成的浓度分布杂质掺杂主要是由高温的扩

散方式来完成杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面这

些杂质浓度将从表面到体内单调下降而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。

离子注入杂质所形成的浓度分布掺杂离子以离子束的形式注入半导体内杂质浓度在

半导体内有个峰值分布杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。1.离子注入掺杂

的优势:相对于扩散工艺离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺

杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度较低的温度适合对化合物半导体进行掺

杂因为高温下化合物的组分可能发生变化另外较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、

铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜热扩散方法的掩膜必须是耐高

温材料。2离子注入掺杂的缺点:主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损

伤。因此后续的退化处理用来去除这些损伤。3、简述离子注入工艺中退火的主要

作用。答由于离子注入所造成的损伤区及畸形团增加了散射中心及陷阱能级使迁移

率和寿命等半导体参数下降。此外大部分的离子在被注入时并不位于替位位置未退

火之前的注入区域将呈显高阻区。为激活被注入的离子使其变成替位杂质恢复有序

的晶格结构如果是无定形结构就谈不上替位杂质与间隙杂质其目的是恢复迁移率减

少散射中心和恢复寿命减少缺陷能级减少陷阱必须在适当的时间与温度下将半导体

退火。4、简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免答对晶体

进行离子注入时当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时一些离子将沿沟道运

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