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模型中的三个电容为极间电容;板间电容与数值均与有关,当时,各电容的数值
随而急剧上升,当,各数值就趋于稳定。;2.极间电容中的位移电流对转移特性无影响,即上面的模型可用于
动态和静态;二.纯阻负载下PM的开关过程;(2)开通过程:;3);三.感性负载下PM的开关过程;时间常数:;4.电压下降区(时区D),PM仍在放大区;五.栅极电荷特性:;1)当时,S关断,开始充电,线性上升,由于;3);二电路条件对栅极电荷特性的影响;2.驱动功率很小,可以略去不计;MOSFET与IGBT的驱动电路;以UC3724和UC3725为例讲述这种驱动电路;5.特点:UC3724和UC3725共电源共电压,控制信号的频率不宜
大于100KHZ;二半桥电路的驱动电路IR211X系列(100KHZ以下);1.电路结构:;LS1的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VCC(3)与Com(2)
LS2的输入端的电源为VDD和VSS,输入端的电源为VB(6)与VS(5);;6.IR2110的应用电路和自举电路;DB和CB组成了自举电路,当T6/On时,;式中,UR是允许的最小压降,大于8V,KB1,KB为安全系数;逻辑结构如图2-31(a)所示,方框1为过流保护,方框2为信号隔离,方框3
为电压变换电路;方框2:信号隔离电路,由光耦ISO1组成;过流保护:;图1-41(a);精品课件!;精品课件!;电流检测端,相当于附加了一个源极
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