硫化镉薄膜及具有硫化镉薄膜的太阳能电池的制备方法 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103268906A

(43)申请公布日2013.08.28

(21)申请号CN201310194072.X

(22)申请日2013.05.22

(71)申请人中国科学技术大学

地址230026安徽省合肥市包河区金寨路96号

(72)发明人王德亮杨瑞龙王德钊

(74)专利代理机构北京维澳专利代理有限公司

代理人王立民

(51)Int.CI

H01L31/18

H01L31/0296

H01L31/073

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

硫化镉薄膜及具有硫化镉薄膜的太

阳能电池的制备方法

(57)摘要

本发明提供了一种硫化镉薄膜的制

备方法，包括步骤：提供硫化镉薄膜；在

硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜；以及在氯

化镉气氛中进行热处理。通过以上制备方

法，有效地减小了硫化镉薄膜的氧化，得

到的硫化镉薄膜在衬底上横向结晶，且晶

粒紧密排列。在应用于碲化镉太阳能电池

中时，使得薄膜保持较高的禁带宽度，减

少了电池短路的可能性，并进一步提高了

电池的短路电流，载流子的收集效率和电

池P-N结的品质，从而提升了太阳能电池

的转换效率。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):H01L31/18专利

2023-06-02号:ZL201310194072X申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1.一种硫化镉薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供硫化镉薄膜；

在硫化镉薄膜上制备氯化镉薄膜；以及

在氯化镉气氛中进行热处理；

去除残留的氯化镉薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用提拉法或物理

气相沉积的方法在硫化镉薄膜上形成氯化镉薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氯化镉气氛中进

行热处理的步骤具体为：通入氯化镉气体，以在氯化镉气氛中进行热处理。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氯化镉气氛中进

行热处理的步骤具体为：加热氯化镉生成氯化镉气氛并在其中进行热处理。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在硫化镉薄膜上形

成氯化镉薄膜，以及在氯化镉气氛中进行热处理的步骤具体为：

在硫化镉薄膜上通过物理蒸发法进行氯化镉蒸镀，形成氯化镉薄膜；

原位蒸发氯化镉并进行热处理。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述氯

化镉薄膜的厚度范围为10-200nm。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度

范围为350-450℃，所述热处理的时间范围为30秒-60分钟，所述热处理

的载气为惰性气体和氧气的混合气体，气压范围为2-101kPa，氧气

分压小于50%。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度

范围为390-430℃，所述热处理的时间范围为10-30分钟，所述热处理的

载气为惰性气体和氧气的混合气体，气压范围为2-50kPa，氧气分压

小于50%。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，利用去离子水进行

冲洗，以将硫化镉薄膜上残留的氯化镉薄膜去