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半导体芯片制造中、高级工考试题.pdfVIP

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以铜为镜,可以正衣冠;以古为镜,可以知兴替;以人为镜,可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》

半导体芯片制造中、高级工考试题

1、填空(江南博哥)大容量可编程逻辑器件分为()和()。

解析:复杂可编程逻辑器件;现场可编程门阵列

2、单选人们规定:()电压为安全电压.A.36伏以下

B.50伏以下

C.24伏以下

答案:A

3、问答题对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图

结构?简述原因。

解析:(1)S管的版图一般采用并联晶体管结构。

采用并联晶体管结构后,可共用源区和漏区,使得在同样宽长比的情

况下,漏区和源区的面积被减小,并因此使得器件源极和漏极的PN

结电容被减小,对提高电路的动态性能很有好处。

(2)寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。

因为器件的尺寸大,即叉指的个数较多,如果采用简单并列的方式,

将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时,由

于在一维方向上的工艺离散性,也将导致最左端的叉指和最右端的叉

指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。

4、填空在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装时将各块集成

电路切开时的切口叫()。

解析:划片槽

5、填空半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成

分类。比较通用的则是根据其化学组成可分为元素()、()半导体、

固溶半导体三大类。

解析:半导体;化合物

6、问答题叙述H2还原SiCl4外延的原理,写出化学方程式。

解析:在气相外延生长过程中,首先是反应剂输运到衬底表面;接

着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子,硅原子按衬底晶向成核,

长大成为单晶层。化学方程式如下:

7、填空化学清洗中是利用硝酸的强()和强()将吸附在硅片表面

的杂质除去。

解析:酸性;氧化性

8、问答题集成电路封装有哪些作用?

解析:(1)机械支撑和机械保护作用。

(2)传输信号和分配电源的作用。

(3)热耗散的作用。

(4)环境保护的作用。

以铜为镜,可以正衣冠;以古为镜,可以知兴替;以人为镜,可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》

9、填空外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、

金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

解析:化学气相;液相;原子束外延

10、填空半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。

一种是(),另一种是()。

解析:电子;空穴

11、填空对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内

容:()、和()、()、()。

解析:逻辑单元符号库;功能单元库;拓扑单元库;版图单元库

12、单选属于绝缘体的正确答案是()。A.金属、石墨、人体、大地

B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷

C.硅、锗、砷化镓、磷化铟

D.各种酸、碱、盐的水溶液

答案:B

13、填空腐蚀V形槽一般采用()的湿法化学腐蚀方法。

解析:各向异性

14、问答题什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

解析:光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。

对光刻工艺质量的基本要求是:刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整

齐、线条陡直;图片内无小岛、不染色、腐蚀干净;图形套合十分准

确;介质膜或金属膜上无针孔;硅片表面清洁、不发花、无残留的被

腐蚀物质。

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