网站大量收购闲置独家精品文档,联系QQ:2885784924

基于各向同性与异性晶体异质结的光电探测器件应用研究.pdf

基于各向同性与异性晶体异质结的光电探测器件应用研究.pdf

  1. 1、本文档共69页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

目录

摘要I

AbstractIII

第一章绪论1

1.1引言1

1.2异质结光电探测器的研究现状2

1.3论文的选题依据与主要内容5

第二章异质结光电探测器的工作原理、制备及表征7

2.1光电探测器的工作原理7

2.1.1光子效应7

2.1.2光热效应8

2.2光电探测器的性能参数8

2.3异质结光电探测器的制备10

2.4异质结光电探测器的表征12

第三章Pentacene/BiSe异质结光电探测器的制备及表征15

23

3.1研究背景15

3.2实验方法16

3.3结果与讨论17

3.3.1BiSe、Pentacene薄膜的生长与表征17

23

3.3.2Pentacene/BiSe异质结光电探测器的制备21

23

3.3.3Pentacene/BiSe异质结光电探测器光电性能的表征21

23

3.3.4Pentacene/BiSe异质结光电探测器的机理分析30

23

3.4本章小结33

第四章偏振识别SnSe/Ge异质结光电探测器的制备及表征35

4.1研究背景35

4.2实验方法35

4.3结果与讨论36

4.3.1各向异性SnSe薄膜的生长与表征36

4.3.2偏振识别SnSe/Ge异质结光电探测器的制备41

4.3.3偏振识别SnSe/Ge异质结光电探测器光电性能的表征41

4.3.4偏振识别SnSe/Ge异质结光电探测器光电性能的机理分析46

4.4本章小结47

第五章总结与展望49

5.1论文总结49

5.2工作展望50

参考文献51

攻读学位期间发表的学术论著65

致谢67

摘要

由二维半导体材料所构建的高质量异质结是制备高响应度、多功能和优异稳定性光电

探测器的基础。近些年来,随着成像、环境监测、光通信等几个新兴领域的迅速发展,促

使光电探测器不断向高度集成化和小型化趋势迈进。因此,进一步发展高性能光电探测器

和片上集成光电器件是必要的。与此同时,有机半导体材料和各向异性二维材料的不断发

展为实现光电探测器由各向同性到各向异性的转换创造了新的发展机遇。为实现这一转换,

本文采用物理气相沉积的方法成功制备了两种异质结光电探测器,并研究了二者在可见光

范围内的光电检测能力。本论文的研究内容主要包含以下两个具体工作:

(1)Pentacene/BiSe有机/无机异质结光电探测器

23

纳米级尺度的有机/无机异质结作为光电探测器的核心光活性层,具有增强的光吸收、

优异的界面质量、较高的机械稳定性和层内激子动力学等诸多显著优点。然而,通过控制

生长高质量的二维Pentacene/BiSe异质结来进一步提高光电探测器的性能指标却很少被研

23

究。因此,为了进一步探索其在光电子学中的应用潜力,我们以小分子Pentacene和拓扑绝

缘体BiSe纳米薄膜为基础,可控地生长了具有清晰界面的有机/无机异质结。然后,制备

23

一种自驱动蓝光敏感异质结光电探测器。在405nm蓝光照射下,具有

您可能关注的文档

文档评论(0)

论文资源 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档