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微纳加工作业及答案.pdfVIP

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好学近乎知,力行近乎仁,知耻近乎勇。——《中庸》

作业一

1.在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄

膜上用结构材料淀积所需的各种特殊结构件,再用化学刻蚀剂将此层

薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微

结构件)。由于被去掉的下层薄膜只起分离层作用,故称其为牺牲层。

a)淀积一层牺牲层;

b)淀积一层结构层;

c)匀胶、光刻、蚀刻,将结构层图形化;

d)淀积一层牺牲层;

e)匀胶、光刻、蚀刻,将中心部分的牺牲层图形化;

好学近乎知,力行近乎仁,知耻近乎勇。——《中庸》

f)淀积一层结构层;

g)经过匀胶、光刻、蚀刻等流程,将结构层图形化;

h)利用腐蚀的方法去掉牺牲层,保留了结构层,得到微马达。

2.或非门

T1、T2为PMOS,当输入电平为低电平时导通。T3、T4为NMOS,

当输入电平为高电平时导通。导通状态用√表示,非导通状态用×表

示。

IN1IN2T1T2T3T4OUTPUT

00√√××1

01√××√0

10×√√×0

11××√√0

好学近乎知,力行近乎仁,知耻近乎勇。——《中庸》

作业二

1.对于一个NA为0.6的投影曝光系统,计算其在不同曝光波长下的

理论分辨率和焦深,并作图。设k=0.6,k=0.5(均为典型值)。

12

图中的波长范围为100nm到1000nm(DUV和可见光)。在你画的

图中,标示出曝光波长g线436nm,i线365nm,KrF248nm,

ArF193nm。根据这些简单计算,考虑ArF源是否可以达到0.13μm

和0.1μm级的分辨率?

答:

根据这些计算可知ArF(193nm)的分辨率不能达到0.13µm和

0.1μm级。可以采用其他先进技术,如相移掩膜、离轴照明等,ArF将

有可能达到0.13µm或者0.1µm级别。

好学近乎知,力行近乎仁,知耻近乎勇。——《中庸》

2.一个X射线曝光系统,使用的光子能量为1keV,如果掩膜板和硅

片的间隔是20μm,估算该系统所能达到的衍射限制分辨率。

答:1keV光子能量对应的波长为

X射线系统是接近式的曝光系统,所以分辨率为

3.对于157nmF准分子激光的光学投影系统:

2

a.假定数值孔径是0.8,k=0.75,使用分辨率的一级近似,估

1

算这样的系统能达到的分辨率。

b.这样的系统的实际投影结果表明,它们有能力分辨0.07μm

尺寸的特征。请建议3种使此类系统可以实现上述分辨率的方案。

答:a)简单的分辨率公式:

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