【碳化硅微结构中子探测器研究动态3100字】.docx

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2024-12-25 发布于湖北
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碳化硅微结构中子探测器研究动态综述

1.1碳化硅材料特点

半导体材料到目前为止，经历了三次大的发展，第一代的代表材料有Si、Ge等；第二代的代表材料有GaAs、InP等；第三代的代表材料就是SiC等半导体材料，它的禁带比较宽、临界的击穿电场比较高、晶体原子位移能比较大等特点。在SiC存在的多种同质多型体中，4H-SiC工艺最成熟，更适合作为制作MSND的材料，在各个方面都具有很好的优点,在科研以及商业领域都得到了使用较多。如图1-1所示REF_Re\r\h[6]，是4H-SiC材料和其他半导体材料的一些参数的对比和应用。从下图可看出，SiC与Si相比禁带宽度、