半导体器件实验报告 .pdfVIP

实验报告

实验名称半导体器件课程设计

班级

姓名：

学号：

实验日期：

实验地点：

一．PMOS的制造流程

制作PMOS的主要流程为：衬底掺杂—〉栅氧化—〉离

子注入—〉淀积多晶硅栅—〉多晶硅氧化—〉多晶掺杂—〉

边墙氧化层淀积—〉边墙氧化层刻蚀形成氧化层—〉源漏注

入—〉源漏退火—〉金属化—〉镜像生成PMOS结构。

二．实验程序和图形

进入模拟软件后，输入数据和程序

goathena

#Non-UniformGrid(0.6umx0.8um)

linexloc=0.00spac=0.10

linexloc=0.20spac=0.01

linexloc=0.60spac=0.01

#lineyloc=0.00spac=0.008

lineyloc=0.20spac=0.01

lineyloc=0.50spac=0.05

lineyloc=0.80spac=0.15

#InitialSiliconStructurewith100Orientation

initsiliconc.phosphor=1.0e14orientation=100two.d

#GateOxidation

diffustime=11temp=950dryo2press=1.00hcl.pc=3

#extractname=Gateoxidethicknessmaterial=SiO~2

mat.occno=1x.val=0.3

#ThresholdVoltageAdjustimplant

implantphosphordose=9.5e10energy=10crystal

此图为离子注入后杂质浓度在画线处注入的磷的浓度相对于器件的

深度的分布

#ConformalPolysiliconDeposition

depositpolysiliconthick=0.20divisions=10

#PolyDefinition

etchpolysiliconleftp1.x=0.35

#PolysiliconOxidation

diffustime=3temp=900weto2press=1.00

#PolysiliconDoping

implantborondose=3.0e13energy=10crystal

#SpacerOxideDeposition

depositoxidethick=0.12divisions=10

#SpacerOxideEtch

etchoxidedrythick=0.12

#Soucer/DrainImplant

implantbf2dose=5.0e15energy=24tilt=0rotation=0crystal

#Source/DrainAnnealing

methodfermi

diffustime=1temp=900nitropress=1.00

下图为源漏退火前后两图相叠加、对比的图形。

#OpenContactWindow

etchoxideleftp1.x=0.20

#AluminumDeposition

depositaluminumthick=0.03divisions=2

#EtchAluminum

etchaluminumrightp1.x=0.18

#extractname=pxjxjmaterial=Siliconmat.occno=1x.val=0.2junc.occno=1

#extractname=p++sheetressheet.resmaterial=Siliconmat.occno=1\x.val=0.05

region.occno=1

#extractname=lddsheetressheet.resmaterial=Siliconmat.occno=1\x.val=0.3

region.occno=1

#extractname=1dvt1dvtptypeqss=1e10x.val=0.5

#structmirrorright

#electrodename=sourcex=0.1