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一种高可靠性上电复位芯片的设计.pdf

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王汉祥等:一种高可靠性上电复位芯片的设计

一种高可靠性上电复位芯片的设计

王汉祥,李富华,谢卫国

(苏州大学电子信息学院江苏苏州215021)

摘要:为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻

辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案。并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性。使用0.6m双层多晶硅

N阱CM0S工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3V工作电压下的阈值电压为3.O8V,复位延时时间

为100ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控书】器以及便携式电子产品的电源监控。

关键词:上电复位;带隙基准;温度系数;运算跨导放大器;激光调整

中图分类号:TP368.1文献标识码:B文章编号:1004—373X(2009)02—012—04

DesignofPower——onResetChipwithHighReliability

WANGHanxiang,LIFuhua,XIEWeiguo

(ElectronicsandInformationEngineering,SoochowUniversity,Suzhou,215021,China)

Abstract:BasedonproblemoftheconditionalPower—onReset(PoR)iseasytofailwhenpoweringonagain,acomparator

structureisproposed,whichisimplementedbybandgapreference,resistancenetworkandlogicblock.Resettimeoutdelay

blockisaddedtomakeitmuchmorereliable.ThefunctionsimulationbyHspiceusing0.6/*m—doublepoly—NwellCMOS

processshowsthatwhenthecircuitworkingunderthesupplyvoltageof3.3V,thethresholdofsupplyvoltageis3.08Vand

theresettimeoutdelayissetto100ms.TheresultsdemonstratethatthedesigncansupplyastableandreliablePoRsignaland

beusedtomonitorpowersuppliesincomputers,micr0processorsandportableequipment.

Keywords:power—onreset;bandgap;temperaturecoefficient;OTA;lasertrimming

O弓I言决二次上电失效,具有高可靠性。

1电路设计与分析

现代科技领域对电子产品性能的要求越来越高,微

处理器系统的稳定性和抗干扰能力是电子工程师面临1.1上电复位电路的结构和原理

的一大难题,电源监控技术就是解决这一难题的有效手为了解决传统上电复位电路的二次上电可能出现

段之一。上电时上电复位(Pow—onReset,PoR)电路错误的问题,这里基于比较器结构设计了精准的带隙基

对数字电路中移位寄存器、D触发器和计数器、模拟电准作为比较基准,其中电阻网络用于设置和检测电压,

路中的振荡器、比较器等单元电路进行复位,保证电路采用延时电路减小电压纹

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