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东南大学半导体物理考研复习系列试题(D卷).pdf

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东南大学考研复习卷(D卷)

课程名称半导体物理929编辑时间2013-1得分

适用专业电子科学与技术考试形式闭卷考试时间长度180分钟

19

室温下kT0.026eV,电子电量e1.610C。

0

一、填空题(每空1分,共35分)

1.常规掺杂一般是为了调节半导体的导电性,根据要求掺杂不同浓度和不同类型的杂

质,可以有效地控制半导体的导电类型和载流子的浓度。特殊掺杂一般是为了特殊的

目的,而不是调制导电性。深能级杂质与浅能级杂质相比,不能显著调制半导体的导

____________________

电性,其原因是。我们进行深能级杂质掺杂一般是为了;

线

__________

浅能级杂质的重掺杂的目的是。

2.高掺杂时,杂质原子之间距离较短,施主能级不再由离散的、相互之间没有作用的能

名态形成。相反,施主能态构成能带,能带可能和导带底重叠。如果导带电子浓度超过

N

有效能态密度,费米能级将不再处于带隙之间,而位于导带内。当这种情况发生

C

__________

时,半导体材料称为简并型半导体材料。类似地,当受主杂质的浓度非

__________

常高时,费米能级位于价带内,这种半导体材料称为简并型半导体材料。

__________

在简并N型半导体材料中,和之间的区域大多数被填充,而在

EE

CF

__________

EE

简并P型半导体材料中,和之间的区域大多数被填充。

VF

3.决定迁移率的参数是有效质量和平均自由时间。有效质量是关于能带结构的一个重要

__________

性质。有效质量是将晶体中作

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