三极管放大电路及其等效电路分析法.pptVIP

⑵、晶体管h参数模型的导出*晶体管在共射接法时，输入输出关系如下：⑵、晶体管h参数模型的导出*在静态工作点附近，可用下式表示：⑵、晶体管h参数模型的导出*⑵、晶体管h参数模型的导出*上式变为：01、晶体管h参数模型的导出02而微分表示交流量，上式变为⑵、晶体管h参数模型的导出*若输入为正弦量，则可用向量表示，并得出h参数模型。⑶、晶体管h参数的物理意义*、hie：输出端交流短路时的输入电阻，即uCE=UCEQ那条输入特性曲线在Q点处切线斜率的倒数。习惯上用rbe表示。求法：hie=?uBE/?iB⑶、晶体管h参数的物理意义*、hre:输入端交流开路时的晶体管内反馈系数，即在iB=IBQ的情况下，uCE对uBE的影响。求法：hre=?uBE/?uCE，当uCE?1V时，hre10-2⑶、晶体管h参数的物理意义*求法：hfe=?iC/?iB、hfe：输出端交流短路时的正向电流放大倍数，它反映了基极电流对集电极电流的控制作用。习惯上用?表示。⑶、晶体管h参数的物理意义*求法：hoe=?iC/?uCE、hoe:输入端交流开路时的输出电导，习惯上用rce表示晶体管的输出电阻，即rce=1/hoe。一般h22e10-5S,即rce100K?.⑷、晶体管h参数模型的简化*由以上讨论可知，hre和hoe都很小（hre10-2，hoe10-5S,rce100K?），可忽略不计，h参数的简化模型为：⑷、晶体管h参数模型的简化*注意：01电流源是受控源，不但大小决定于iB，02而且方向也必须与之对应，不能随意假定。03h参数模型的对象是变化量，不能用它04来求静态工作点。05微变等效电路虽然没反映直流量，但小信号06参数是在Q点求出的，所以计算结果反映了07工作点附近的情况。08⑸、晶体管rbe的近似表达式*在晶体管h参数的简化模型中，?是一个基本参数，一般晶体管手册中给出，也很容易测出；但rbe不易测出，下面根据晶体管的结构和特性推出rbe的近似表达式。在低频时不考虑结电容的影响，晶体管的结构图如下：⑸、晶体管rbe的近似表达式*由该图可得方程：⑸、晶体管rbe的近似表达式*根据PN结方程，发射结电流为：（u为发射结电压）12⑸、晶体管rbe的近似表达式*⑸、晶体管rbe的近似表达式*其中：UT=26mV（T＝300k）对小功率晶体管通常可以取200，相当于基区的体电阻。1mAIE5mA，超过此值范围则会带来较大误差。微变等效电路的画法：1-2-3看动画4.3-2、基本共射放大电路、直接耦合共射放大电路、阻容耦合共射放大电路用h参数模型计算交流性能3、用h参数模型计算交流性能*、基本共射放大电路使用双电源494949494949494949494949494949*放大电路的分析方法等效电路分析法等效电路分析法宗旨线性化:晶体管特性的非线形使电路分析复杂化，因此，我们总是对它作近似处理，在一定的条件下把它线性化。这是引出等效电路的指导思想。这种方法把电路理论与晶体管的特性结合起来，能有效地解决许多实际问题，是分析电子电路的有力工具。*等效电路分析法1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算2、晶体管共射h参数等效模型3、用h参数模型计算交流性能4、应用举例1、晶体管的直流模型及静态工作点的计算输入特性的等效、输出特性的等效、合起来就得到晶体管的完整直流模型晶体管工作在放大状态时，发射结总是正向偏置，集电结总是反向偏置，所以二极管可省略。注意：

晶体管的直流模型是晶体管在静态时工作在放大状态的模型，使用条件是：UBEUON并且UCE?UBE。具体计算使用双电源时使用单电源、直接耦合放大器结构直流模型及静态工作点的计算使用单电源、阻容耦合放大器结构2、晶体管共射h参数等效模型*、双端口网络参数的回顾、晶体管h参数模型的导出、晶体管h参数的物理意义、晶体管h参数模型的简化、晶体管rbe的近似表达式⑴、双端口网络参数的回顾*根据电路理论，下面的双端口网络可用不同的参数方程来表示：⑴、双端口网络参数的回顾*其中h参数在低频用的比较广泛。各参数的意义如下：⑴、双端口网络参数的回顾*49494949494949