MOCVD法制备β-Ga2O3一维纳米材料 .pdf

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第43卷第4期辽宁科技大学学报Vol.43No.4

2020年8月JournalofUniversityofScienceandTechnologyLiaoningAug.2020

MOCVD法制备β-GaO一维纳米材料

朱江，胡大强，王颖，郇维亮

（辽宁科技大学理学院，辽宁鞍山114051）

摘要：

采用金属有机化学气相沉积法，以Au为催化剂，在蓝宝石衬底上制备β-GaO一维纳米材料。采用X

射线衍射仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、光致发光光谱仪对样品的物相、表面形貌、结构以及发光性能等进行

了表征。主要研究了生长温度对其各种性能的影响。结果表明，600℃时，样品呈非晶态的小颗粒；650℃时为

非晶态的纳米线；700℃时为结晶态的纳米柱；750℃时为结晶态的大颗粒。随着生长温度升高，样品在357nm

和408nm处出现发光峰，且其发光强度随温度升高而增强。

关键词：

金属有机化学气相沉积；一维纳米材料；β-GaO；生长温度

中图分类号：文献标识码：文章编号：

O472A1674-1048（2020）04-0272-06

DOI：

10.13988/j.ustl.2020.04.007

氧化镓（GaO）具有五种晶型：α、β、γ、δ和εdeposition，MOCVD）和水热过程。生长条件

［9］［10］

相。在所有这些相中，最稳定的是β-GaO，它属于会对β-GaO纳米结构的形状和性能产生较大的影

2323

单斜晶体结构［1-2］。作为一种新型的半导体，它具响。然而，到目前为止，β-GaO纳米材料形貌与生

有较宽的禁带，室温下可以达到4.9eV，具有优异长条件之间的关系还没有详尽的报道［11-12］。因此，

的高温热稳定性和化学稳定性，还具有很强的耐有必要对β-GaO纳米材料形貌控制进行研究。本

高压和抗辐射性，最高可耐电场强度为8.0MV/

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