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具有择优取向的GaN粉末的制备与性能研究

康利平;王伶俐;王海燕;张晓冬;王永强

【摘要】采用管式炉通以流动氨气煅烧β-Ga_2O_3的方法制备六方纤锌矿GaN,

利用XRD,SEM,TEM对所制备的GaN的结构、形貌进行表征和分析,使用荧光光

度计采集GaN的光致发光光谱进行发光性能研究.结果表明,GaN具有（002）择

优取向,其颗粒外形和尺寸均与原料相似,系由几十纳米的晶片团聚而成的棒状颗粒

所组成;GaN的近带边发射峰为346nm（3.584eV）,相比较块材的近带边发射峰

有19nm（187meV）的蓝移.

【期刊名称】《轻工学报》

【年(卷),期】2017(032)005

【总页数】7页(P42-48)

【关键词】Ⅲ-Ⅴ族半导体GaN粉末择优取向发光性能蓝移

【作者】康利平;王伶俐;王海燕;张晓冬;王永强

【作者单位】郑州轻工业学院物理与电子工程学院,河南郑州450002

【正文语种】中文

【中图分类】TB34

Abstract：ThehexagonalwurtziteGalliumnitride(GaN)waspreparedby

calciningβgalliumoxide(β-Ga2O3)inflowingammonia.TheXRD,SEM

andTEMwereemployedtoinvestigatethestructureandmorphology.The

photoluminescence(PL)spectroscopywasusedtocollect

photoluminescencespectroscopyofGaNperformtheluminousproperty.

ThemeasurementresultsrevealedthattheobtainedGaNhadpreferred

orientationof(002),andtherodshapeandgrainsizeofGaNpowders

weresimilartothoseofrawgalliumoxidewhichwereagglomeratesof

tensnanometersflakecrystallites.Thenear-edgeemissionat346

nm(3.584eV)ofGalliumnitridepowdershadablueshiftof19nm(187

meV)thanthatofbulkGaNmaterial.

第三代半导体的代表——氮化镓(GaN)由于具有3.39eV的室温宽带隙、高发光效

率和较低的温度猝灭效应，在蓝光、紫外发光、紫外检测等领域具有广泛的应用前

景[1].目前，制备GaN薄膜所用的基片大多是蓝宝石[2-5]，但蓝宝石与GaN之间

存在严重的晶格失配和热膨胀系数差异，会导致基片与薄膜之间存在较大的应力，

进而可能引起器件的失效.因此，采用晶格和热膨胀完全匹配的单晶GaN晶圆作为

基片制作GaN薄膜器件是理想的选择.单晶GaN基片尚处于研发阶段，均相外延

法生长晶圆和CVD法制备GaN薄膜等都需要高纯度GaN粉末原料，这使得

GaN粉末的制备和性能检测成为当前的研究热点.

H.Zhang等[6]采用高温(650℃)煅烧不锈钢高压釜中的Ga2O3和NH4Cl混合物

的方法合成了灰色的GaN粉末，M.Drygas等[7]在多种非氧气氛中热解镓酰亚胺

制得了具有高比表面积的GaN纳米粉，但已有研究均未对GaN的光致发光性能

进行分析和研究.高温氨化是制备GaN粉末的比较简单、廉价的方法，W.S.Jung

等[8]在流动氨气中加热覆盖在硅晶圆上的GaOOH·xH2O制得了基片上的GaN颗

粒，并研究了α-Ga2O3转化为GaN的反应机制，但该制备过程反应激烈，用时

超过7d，而且并未涉及GaN光学性能的研究.本文拟采用在流动氨气中煅烧氧化

镓(β-Ga2O3)粉末的方法来制备GaN，并研究其光致发光性能，以期得到可供生

长单晶晶圆使