电路与模拟5徐淑华.pptxVIP

本章学习目标;5.1半导体基础知识;5.1.1本征半导体;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。;在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。;本征半导体的导电机理;5.2.2杂质半导体;;2）P型半导体;杂质半导体的示意表示法;归纳;1、PN结的形成;;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。;;;1）PN结加正向电压时的导电情况;2).PN结加反向电压时的导电情况;在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。;?空间电荷区中没有载流子。;正向特性;3.PN结的电流方程和伏安特性;;4.PN结的电容效应;结电容：;5.2半导体二极管;半导体二极管;半导体二极管;半导体二极管;;5.2.3主要参数;（1）理想二极管;理想

二极管;;根据近似关系，得：;五、二极管的应用举例;;电路如图示：已知VA=3V

VB=0V求：VF=？;判断电路中二极管的工作状态，求解AB两端电压。;5.3.1稳压二极管;2、稳压管的主要参数;;4.稳压管与二极管的主要区别;稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。;已知图示电路中，UZ=6V，最小稳定电流IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA，负载电阻RL=600Ω，求限流电阻R的取值范围。;;晶体管的分类;5.4.1基本结构;B;;1.放大状态;进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。IBE基本上等于基极电流IB。;从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE，基本上等于IE。;IC与IB之比称为电流放大倍数;;2.饱和状态;5.4.3特性曲线;;;;;IC(mA);②放大区：发射结正偏，集电结反偏;③饱和区：发射结正偏，集电结正偏;;测量三极管三个电极对地电位，试判断

三极管的工作状态。;5.4.4晶体管主要参数;2.集-射极反向截止电流ICEO;4.集电极最大允许电流ICM;5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO;IC;5.4.5温度对晶体管特性及参数的影响;;放大、开关。;5.5绝缘栅型场效应晶体管;场效应管是一种不同于双极型晶体管（BJT）的一种半导体器件。;5.5.1绝缘栅场效应管(MOS管);1．工作原理;当uGS↑=UGS(th)时，衬底中的少子电子被吸引到耗尽层，

形成N型薄层，称为反型层。该反型层即导电沟道。

uGS再↑，则反型层加宽，沟道变宽。;uGS对iD的影响：uGS↑→沟道宽度↑→iD↑;2．特性曲线与电流方程;二、N沟道耗尽型绝缘栅场效应管;uDS;三、P沟道场效应管;例：P沟道绝缘栅型场效应管的特性曲线;uDS;5.5.3场效应管的主要参数;三、极限参数;场效应管(FET)和双极型晶体管(BJT)比较;使用FET的几点注意事项：;1）发光二极管;注意：光电二极管工作在反向状态！;注意：光电三极管工作时，发射结正偏，集电结反偏！;特点：输入输出电气隔离，抗干扰能力强；

传输信号失真小，工作稳定可靠。;编号;编号;一、两种半导体和两种载流子;iD;3.二极管的等效模型;4.二极管的分析方法;三、两种半导体放大器件;放

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件;4.特性;;;场效应管;2.特点;精品课件！;精品课件！;END