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博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》

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模拟电子技术复习资料总结

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性同ＰＮ结。

*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若VV(正偏)，二极管导通(短路);

阳阴

若VV(反偏)，二极管截止(开路)。

阳阴

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

Q

的交点叫静态工作点。

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2)等效电路法

直流等效电路法

*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V阳V阴(正偏)，二极管导通(短路);

若V阳V阴(反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型

微变等效电路法

三.稳压二极管及其稳压电路

*稳压二极管的特性正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连

接。

第二章三极管及其基本放大电路

一.三极管的结构、类型及特点

1.类型分为NPN和PNP两种。

2.特点基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触

面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

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二.