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博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
二硫化钼薄膜晶体管制备
一、前言
二硫化钼（MoS2）是一种具有优异电学、光学和力学性能的二维材料，
近年来受到了广泛的研究关注。作为一种半导体材料，MoS2薄膜可
以用于晶体管等电子器件的制备。本文将介绍二硫化钼薄膜晶体管制
备的相关内容。
二、制备方法
目前，制备MoS2薄膜的方法主要有化学气相沉积法（CVD）、机械
剥离法和溶液剥离法等。其中，CVD法是最常用的制备MoS2薄膜的
方法之一。
1.化学气相沉积法
CVD法是利用化学反应在基底上生长MoS2晶体。该方法需要先在基
底上生长一层金属催化剂（如Ni、Co或Pt），然后在高温下通过气
相反应使金属催化剂与硫源反应生成MoS2晶体。
具体步骤如下：
博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
（1）清洗基底：将基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离子水冲洗
干净并吹干。
（2）沉积金属催化剂：将清洗后的基底放入含有金属催化剂的溶液中，
在高温下进行沉积。
（3）沉积MoS2薄膜：将含有硫源和惰性气体（如Ar或N2）的气
体流入反应室，通过控制温度和时间，使硫源与金属催化剂反应生成
MoS2晶体。
（4）去除金属催化剂：将生长好的MoS2薄膜在高温下进行退火，
使金属催化剂与MoS2分离。
2.机械剥离法
机械剥离法是通过机械力将MoS2晶体从其原始基底上剥离下来，然
后再转移到另一个基底上。这种方法可以制备大面积、高质量的
MoS2单晶片。
具体步骤如下：
（1）清洗原始基底：将原始基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离
博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
子水冲洗干净并吹干。
（2）制备MoS2单晶片：将原始基底放入含有MoS2晶体的溶液中，
在低温下进行生长。生长完成后，使用粘性胶带将MoS2晶体剥离下
来。
（3）转移：将剥离下来的MoS2晶体通过粘性胶带转移到另一个基
底上。
3.溶液剥离法
溶液剥离法是通过在MoS2晶体上涂覆一层聚合物，然后将其浸泡在
化学试剂中，使聚合物与MoS2分离。这种方法可以制备大面积、高
质量的MoS2薄膜。
具体步骤如下：
（1）清洗基底：将基底放入丙酮中清洗5分钟，然后用去离子水冲洗
干净并吹干。
（2）制备MoS2薄膜：将含有MoS2晶体的溶液滴在基底上，在低
温下进行生长。生长完成后，涂覆一层聚合物（如PMMA）。
博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》
（3）浸泡：将含有化学试剂的溶液浸泡在样品中，使聚合物与MoS2
分离。最后用去离子水冲洗干净即可得到MoS2薄膜。
三、晶体管制备
利用CVD法或机械剥离法制备的MoS2
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