电工电子技术应用 课件 项目四直流稳压电源分析与应用.pptx

电工电子技术应用

项目四直流稳压电源分析与应用

学习任务一识别与检测二极管

一、半导体基本知识半导体根据物体导电能力(电阻率)不同，可以划分为导体、绝缘体和半导体。学习任务一识别与检测二极管半导体特性光敏性：制成光电二极管、光电三极管和光敏电阻热敏性：制成各种热敏元件掺杂性：制成二极管、晶体管(三极管)、场效应管等

1.本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体，如硅(Si)、锗(Ge)单晶体。（1）本征半导体的共价键结构最外层电子四个价电子。Si硅原子Ge锗原子简化模型价电子一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

（2）本征半导体的导电特性本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电，这是半导体导电的特殊性质。空穴共价键自由电子本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

2.杂质半导体：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

（1）N型半导体+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

（2）P型半导体空穴为多数载流子自由电子为少数载流子+3+4+4+4+4+4硼原子空穴一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

杂质半导体简化示意图负离子多数载流子少数载流子正离子多数载流子少数载流子P型N型一、半导体基本知识学习任务一识别与检测二极管

二、PN结及其单向导电性1.PN结的形成：在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。多数载流子的扩散形成空间电荷区学习任务一识别与检测二极管

2.PN结的单向导电性：正偏时处于导通状态，产生一个较大的正向电流；反偏时处于截止状态，产生一个非常小的反向电流，几乎等于零。正向偏置的PN结反向偏置的PN结二、PN结及其单向导电性学习任务一识别与检测二极管

三、二极管的结构与类型1.二极管的结构及电路符号－外壳(阴极)(阳极)PN阳极引线阴极引线(阳极)VD－＋(阴极)—结构电路符号外形图学习任务一识别与检测二极管

2.分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型三、二极管的结构与类型学习任务一识别与检测二极管

点接触型正极引线触丝N型锗片外壳负极引线负极引线面接触型N型锗PN结正极引线铝合金小球底座金锑合金正极

引线负极

引线平面型PNP型支持衬底学习任务一识别与检测二极管

四、二极管的伏安特性和主要参数1.二极管特性——单向导电性Ｕ（BR）Ｕ/V????/mA????BB′-50.20.40.60.8????C′D′DC硅锗(1)正向特性：导通Uth死区电压硅管：(0.4?0.7)V锗管：(0.2?0.4)V导通压降硅管：一般取0.7V锗管：一般取0.4V学习任务一识别与检测二极管

1.二极管特性——单向导电性Ｕ（BR）Ｕ/V????/mA????BB′-50.20.40.60.8????C′D′DC硅锗(2)反向特性：截止：反向饱和电流：反向击穿电压四、二极管的伏安特性和主要参数学习任务一识别与检测二极管

2.主要参数Ｕ（BR）Ｕ/V????/mA????BB′-50.20.40.60.8????C′D′DC硅锗（1）最大整流电流(最大正向平均电流)（2）最高反向工作电压(为U(BR)/2)（3）反向电流(越小单向导电性越好)（4）直流电阻(正、反电阻相差越大，二极管单向导电性越好)（5）交流电阻(动态电阻)（6）最高工作频率(超过时单向导电性变差)四、二极管的伏安特性和主要参数学习任务一识别与检测二极管

五、二极管的应用1.限幅电路单向限幅电路输入输出波形图例题：输入电压直流电压，求输出电压解：理想二极管,忽略正向压降时，二极管导通，时，二极管截止，学习任务一识别与检测二极管

2.钳位电路例题：解：理想二极管,忽略正向压降,求C点电位（1）时，二极管均导通，（2）时，