电工电子技术应用 课件 项目五晶体管放大电路分析与应用.pptx

电工电子技术应用

项目六晶体管放大电路分析与应用

学习任务一识别与检测晶体管

一、晶体管的结构及电路符号学习任务一识别与检测晶体管几种常见三极管外形图

一、晶体管的结构及电路符号学习任务一识别与检测晶体管

二、晶体管的分类（1）按材料分：硅管、锗管（2）按结构分：NPN、PNP（3）按使用频率分：低频管、高频管（4）按功率分：小功率管、中功率管、大功率管（5）按工作状态分：放大管和开关管学习任务一识别与检测晶体管

1.三极管实现电流放大作用的条件发射区掺杂浓度很高基区很薄且掺杂浓度很低集电结面积大内部条件外部条件集电结反偏发射结正偏三、晶体管各极间的电流分配与放大原理学习任务一识别与检测晶体管

2.三极管内部载流子的运动过程（1）发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE（2）扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB（3）集电结反向偏置,扩散到集电结附近的电子收集到集电区,形成IC三、晶体管各极间的电流分配与放大原理学习任务一识别与检测晶体管

3.三极管电流分配关系与放大作用（1）三极管电流放大，三个电极之间的电位关系NPN：PNP：（2）电流关系1）2）直流放大能力3）交流流放大系数三、晶体管各极间的电流分配与放大原理学习任务一识别与检测晶体管

1.输入特性曲线1)当时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。2)当UCE增大时，曲线将右移。当时，各曲线几乎重合。3)硅管导通压降一般取0.7V，锗管取0.3V。四、?晶体管的伏安特性学习任务一识别与检测晶体管

2.输出特性曲线1）截止区：集电结、发射结均反偏IB=0IC=ICEO2）放大区：集电结反偏、发射结正偏IC=?IB3）饱和区：集电结、发射结均正偏UCE?0.3V四、?晶体管的伏安特性学习任务一识别与检测晶体管

（1）共射电流放大系数发射极是输入输出的公共点，称为共射接法直流电流放大倍数交流电流放大倍数（2）反向饱和电流1）集-基极反向饱和电流ICBO一般ICBO很小，越小，管子质量越好2）集-射极反向穿透电流ICEOICEO=（1+）ICBOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快五、晶体管的主要参数学习任务一识别与检测晶体管

（3）极限参数极限参数是指为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制1）集电极最大允许电流ICMiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作区2）集电极最大允许功率损耗PCM3）集-射间反向击穿电压U(BR)CEO为保证三极管正常工作，必须满足五、晶体管的主要参数学习任务一识别与检测晶体管

学习任务二分析与测试共发射极放大电路

三极管放大电路有三种形式共射极放大电路共基极放大电路共集电极放大电路放大电路中电压电流符号规定学习任务二分析与测试共发射极放大电路

一、电路组成及各元件的作用1.电路组成原则（1）直流电源：电源极性应该与三极管类型配合，保证晶体管工作在放大区：发射结正偏，集电结反偏。（2）适当电阻：保证三极管有适宜的直流电流，为合理设置静态工作点提供条件（3）正确连接：放大电路输入端与信号源及输出端与负载连接正确，保证交流信号进得来出的去。学习任务二分析与测试共发射极放大电路

2.各元件作用（3）集电极电源EC：为电路提供能量，并保证集电结反偏。（1）晶体管T:放大元件（2）基极电源EB与基极电阻RB:使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流（4）集电极电阻RC：将变化的电流转变为变化的电压。（5）耦合电容C1、C2：隔离输入、输出与放大电路直流的联系。一、电路组成及各元件的作用学习任务二分析与测试共发射极放大电路

微变等效电路法放大电路分析方法解析法图解法图解法静态分析动态分析2.直流通路和交流通路（1）放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上附加了小的交流信号,既有直流成分，又有交流成分，形成交直流共存现象。（2）电容对交、直流的作用不同，如果电容容量足够大，可以认为它对交流不起作用，即对交流短路，而对直流可以看成开路，交直流信号可以分开分析计算。二、放大电路分析方法学习任务二分析与测试共发射极放大电路

RB+UCRC直流通路：只考虑直流信号的分电路。→用于静态分析：静态工作点（Q点）交流通路：只考虑交流信号的分电路。→用于动态分析：Au；Ri；RouoRBRCRLui二、放大电路分析方法学习任务二分析与测试共发射极放大电路

RB+UCRC1.静态分析：静态：当放大电路无信号输入（ui=0）时的工作状态。静态分析：确定放大电路的静态值静态工作点Q：IB、I