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非共线反铁磁Mn3Ge薄膜的制备与磁性电输运研究.pdf

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摘要

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近年来,随着信息技术、人工智能的迅猛发展,对数据存储设备的读写性能、

稳定性、能耗及容量等方面提出了更高的要求。传统存储器虽然在过去几十年内

支撑了数据存储的主要需求,但它们在读写速度、耐用性、能效以及对外界磁场

的敏感性方面存在明显的局限性。这些限制成为了推动新型存储技术研发的重

要动力。非共线反铁磁体MnX(X=Sn,Ge,Ga)因为具有巨大的反常霍尔效应和太

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