附加题翻译-非晶薄膜晶体管现状.pdfVIP

专题概述

非晶IGZO薄膜晶体管（TFT）现状

本文将对非晶氧化物（AOS）及其薄膜晶体管(TFT)的现状和研究成果进行论述。非晶

IGZO有望成为下一代平板显示用TFT材料，因为它能满足所有有机发光二极管显示大型高

速液晶显示以及3D显示的要求。这些以前的Si材料和传统TFT都不能满足。本文将进行

以下介绍：

1)大多数器件的问题，比如均匀性、电压随偏压应力的长期稳定性、TFT的性能在IGZO

TFT上是怎么解决的。

2)第六代制程在32寸37寸显示上的应用。

3)第八代溅射装置和溅射靶的发展

4)深能隙的重要效应对发光照明不稳定的影响的解释

5)对负偏压光照不稳定进行深入研究，并提出机理

6)机制分为背沟道效应，栅绝缘层上的形成，和由加热退火形成的施主能级，同

时产生的大量也要考虑

7)致密的钝化层，提高了稳定性和响应速度

8)对非晶氧化物的电子结构和电子输运建立了一个仿真模型。

1.引言TFT特性相关的报告，尤其是关

IGZO是氧化物(AOS)（图于a-IGZO的介绍。

1）的代表，自从我们关于使用IGZO制作

透明柔性TFT的报告在2004年11月2.AOS的发现

后，一些显示厂家也加入了这种TFT的研用于普通电子器件，比如电脑的FPD

究，以及新制作出了一系列的平板显示器和LED，通常是用Si，GaAs，InP和GaN

（FPD），包括有电子纸张（e-papers），有做的。由于对ZnO的大量研究，以它作为

机发光二极管显示器（OLED）和液晶显

示器（LCD）。截至2010年初，OLED和

LCE的最大面板尺寸分别达到了19寸和别是关于其薄膜生长技术、在器件如LED

37寸。上的应用和其内在性能说明，这些研究论

文中我们总结了AOS的现状，包括它证了ZnO异质结系统的介观效应和证明

在平板显示器和的应用及其基础了ZnO与有的一比。

材料科学。为避免与已有的内容重复，多晶ZnO应用于TFT的也有被研究，

进一步的细节可以在下文的文献中查找。因为多晶ZnO也是熟知地作为器

参考文献[4]是可供一般读者阅读，参考件中的有源层，可在低于300℃下制作。

文献[5]包含有的科学和技术数据，进所以，ZnO是希望替代氢化多晶硅用于现

一步的论述还可以在参考文献[6]中阅读。在的FPD上。第一篇文献关于由单晶制作

第一部分，主要介绍TFT科技中氧化的ZnOTFT于1968年。之前的是使

物电子的背景和现状，集中介绍TFT技术。用CdS的1962年和使用其他氧化物

第二部分介绍了的与AOS材料及其（SnO2，In2O3），直到2003年，大量关

1

于ZnO的TFT研究被revisited。也有很多

问题被，例如很大部分由晶界引起的射率。

低迁移率