TZOIA-硅光电倍增管性能测试方法.pdf

ICS31.080

CCSL54

ZOIA

中关村光电产业协会团体标准

T/XXXXXXX—XXXX

硅光电倍增管性能测试方法

SiliconPhotomultiplierPerformanceTestMethod

（工作组讨论稿）

2023.11.21

（）

在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。

XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

中关村光电产业协会发布

T/XXXXXXX—XXXX

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4一般要求2

5详细要求3

参考文献12

I

T/XXXXXXX—XXXX

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由北京邮电大学提出。

本文件由中关村光电产业协会归口。

本文件起草单位：北京邮电大学、无锡中微晶园电子有限公司、上海联影医疗科技股份有限公司、

中国科学院高能物理研究所。

本文件主要起草人：郭霞、胡安琪、李少斌、刘巧莉、张明、王涛、安少辉、韩振杰、钱森、夏江

腾、张世凤、任艳玲。

II

T/XXXXXXX—XXXX

硅光电倍增管关键性能表征方法

1范围

本文件界定了硅光电倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM）的术语，规定了其光电参数的测

试方法。

本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T11499-2001半导体分立器件文字符号

GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件

3术语和定义

GB/T11499-2001和GB/T15651界定的以及下列术语、定义适用于本文件。

反向击穿电压reversebreakdownvoltage

VB