场效应管参数大全2.docxVIP

场效应管参数大全2

场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种三端半导体器件，具有输入阻抗高、输出阻抗低、功耗小、噪声低等优点，广泛应用于各种电子电路中。场效应管的主要参数包括：

1.饱和漏源电流（Idsat）：指场效应管在饱和状态下的漏源电流，通常用单位为安培（A）表示。饱和漏源电流是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的输出能力。

2.漏源电压（Vds）：指场效应管漏极和源极之间的电压，通常用单位为伏特（V）表示。漏源电压是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的功耗和热稳定性。

3.阈值电压（Vth）：指场效应管开始导通的电压，通常用单位为伏特（V）表示。阈值电压是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的开关特性。

4.跨导（gfs）：指场效应管输入电压对输出电流的控制能力，通常用单位为西门子（S）表示。跨导是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的放大能力。

5.输入电容（Ciss）：指场效应管输入端的等效电容，通常用单位为皮法（pF）表示。输入电容是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的频率响应和稳定性。

6.输出电容（Coss）：指场效应管输出端的等效电容，通常用单位为皮法（pF）表示。输出电容是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的频率响应和稳定性。

7.转移电导（gfs）：指场效应管输入电压对输出电流的控制能力，通常用单位为西门子（S）表示。转移电导是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的放大能力。

8.极限频率（fT）：指场效应管的最高工作频率，通常用单位为赫兹（Hz）表示。极限频率是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的工作范围。

9.最大功耗（Pmax）：指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大功率，通常用单位为瓦特（W）表示。最大功耗是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的热稳定性和可靠性。

10.最大漏源电流（Idsmax）：指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大漏源电流，通常用单位为安培（A）表示。最大漏源电流是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的输出能力和可靠性。

场效应管参数大全2

场效应管（FieldEffectTransistor，简称FET）作为一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，其性能和特性对电路的整体表现具有至关重要的影响。除了之前提到的饱和漏源电流、漏源电压、阈值电压、跨导、输入电容、输出电容、转移电导、极限频率和最大功耗等主要参数外，还有其他一些参数同样值得关注。

11.噪声系数（NF）：噪声系数是衡量场效应管内部噪声大小的参数，通常用分贝（dB）表示。噪声系数越低，场效应管的噪声越小，适用于对噪声要求较高的电路。

12.开关时间（tON/tOFF）：开关时间是指场效应管从截止状态到导通状态（tON）或从导通状态到截止状态（tOFF）所需的时间，通常用单位为纳秒（ns）表示。开关时间越短，场效应管的开关速度越快，适用于高频开关电路。

13.最大漏源电压（Vdsmax）：最大漏源电压是指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大漏源电压，通常用单位为伏特（V）表示。最大漏源电压是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的电压承受能力和可靠性。

14.最大栅源电压（Vgsmmax）：最大栅源电压是指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大栅源电压，通常用单位为伏特（V）表示。最大栅源电压是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的栅源电压承受能力和可靠性。

15.最大栅极电流（Igsmmax）：最大栅极电流是指场效应管在正常工作条件下能够承受的最大栅极电流，通常用单位为安培（A）表示。最大栅极电流是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的栅极电流承受能力和可靠性。

16.热阻（RthJA）：热阻是指场效应管从结点到环境的热阻，通常用单位为摄氏度每瓦特（°C/W）表示。热阻越低，场效应管的散热性能越好，适用于大功率应用。

17.最大结温（Tjmax）：最大结温是指场效应管在正常工作条件下能够承受的最高结温，通常用单位为摄氏度（°C）表示。最大结温是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的温度承受能力和可靠性。

18.线性度（Linearity）：线性度是指场效应管的输出电流与输入电压之间的线性关系，通常用单位为百分比（%）表示。线性度越高，场效应管的输出电流与输入电压之间的关系越接近线性，适用于线性放大电路。

19.通道长度调制系数（λ）：通道长度调制系数是指场效应管在饱和状态下，漏源电压对漏源电流的影响程度，通常用无量纲数表示。通道长度调制系数越小，场效应管的漏源电压对漏源电流的影响越小，适用于精确控制电流的电路。

20.通道迁移率（μ）：通道迁移率是指场效应管在单位电场作用