《材料化学导论》第3章晶体的缺陷化学.pptx

第3章晶体的缺陷化学

ChemistryontheCrystalswithdefects

§3.0概论

3.0.1完美晶体与缺陷晶体

完美晶体晶体中原子的有序排列在三维空间无限

延伸并且具有严格的周期性循环。

实际晶体

结构往往偏离完美晶体的结构，主要由于以下原因：

⑴由于热力学原因，原子会离开它自身原本应在的格点；

⑵由于堆垛的原因，不同的原子错占对方原子的位置；

⑶化学过程引入杂质原子。

●这些不完美性都称作晶体中的缺陷（Defects）。这种

晶体称作缺陷晶体（Crystalswithdefects）。实际晶体均是缺

陷晶体。

晶体中缺陷存在的主要影响

●由于晶体中缺陷的存在，一方面会大大影响材料的物

理性质，需要克服缺陷；例如，金属及其合金材料，实际晶体

的力学性能还不及完善晶体的万分之一。

●另一方面，正是由于缺陷的存在，规定了这样或那样

的功能材料。例如各类掺杂的功能材料具有优异的物理和化学

等性能，而纯净的化合物晶体甚至完全不具备如此的功能。

晶体中缺陷研究的主要意义

因此，研究晶体的缺陷化学具有重要的理论和实际意义。

研究的目的是为了控制晶体中的缺陷存在形式和浓度，包括克

服人们不期望存在的缺陷与人们可以加入并且提升其存在浓度

的缺陷，以获得具有特殊需要功能的晶体材料。

3.0.2缺陷的种类与分类

晶体中的缺陷的种类很多。也有多种角度的分类。

●从缺陷在晶体中存在的几何维数来看，可以分为：

◎零维缺陷（点缺陷）

◎一维缺陷（线缺陷）

点缺陷，例如空位在晶体中毗邻排成呈部分阵列，形成

位错，分为刃型位错和螺旋位错。

刃型位错螺旋位错

◎二维缺陷（面缺陷）

◎三维缺陷（体缺陷）

面缺陷——晶粒间界

体缺陷——空洞

体缺陷——包裹杂质

●从晶体的组成出发，可将缺陷分为：

本征缺陷defects）或结构缺陷（Structuraldefects）:产

生于晶体本身结构的缺陷。

由于这类缺陷产生的原因主要是热运动之故，又称之为

物理缺陷或热缺陷；

非本征缺陷（innativedefects）:主要由于外来原子进入

晶体而造成的缺陷。由于这类缺陷并非晶体本体组成，故又称

为杂质缺陷（Imouritydefects）。又因这些缺陷主要来自化学

制备方面，故还称之为化学缺陷（Chemicaldefects）。

在缺陷讨论中，也可以将两类缺陷分类结合在一起：

晶体缺陷缺陷维数缺陷来源缺陷细类

晶体中缺陷的分类

价带空穴

电子缺陷

导带电子

错位缺陷

晶本征点缺陷空位缺陷

体

中零维缺陷

的（点缺陷）间隙缺陷

缺杂质点缺陷

陷

替代缺陷

位错处杂原子

一维缺陷刃位错

（线缺陷）

位错螺位错

混合位错

堆垛错位

二维缺陷小