《微电子工艺》第6章光刻技术与刻蚀工艺.pptx

第6章光刻技术与刻蚀工艺

TextbookandReferences

IC制造的工艺流程图

材料IC生产厂房

电介质沉测试

金属化化学机械

抛光积

晶圆

封装

注入与光刻蚀与光

加热工艺

刻胶剥离刻胶剥离

掩模版

最终测试

光刻工艺

IC设计

目标(Objectives)

学完本章之后，你应该能够：

•列出组成光刻胶的四个成分

•叙述正负光刻胶间的差异

•叙述光刻工艺的程序

•列出四种对准和曝光系统

•叙述晶圆在晶圆轨道机、步进机整合系统中

的移动方式

•说明分辨率和焦深、波长及数字孔径的关系

•熟悉刻蚀的专门用语

•能够辨别湿式刻蚀与干式刻蚀工艺的差别

•列出四种IC工艺中被刻蚀的材料以及干式刻

蚀中主要使用的光刻胶

•叙述IC生产制造中的刻蚀工艺

•对于刻蚀工艺的伤害性有所警觉

1.概述

基本工艺步骤：平面工艺技术已广泛应用于现今的

集成电路(IC)工艺。显示平面工艺的几个主要步骤

包含氧化(oxidation)、光刻(lithography)、离子

注入(ionimplantation)和金属化(metallization)。

氧化：高品质SiO2的成功开发，是

推动硅(Si)集成电路成为商用产品主

流的一大动力。一般说来，SiO2可

作为许多器件结构的绝缘体，或在

器件制作过程中作为扩散或离子注

入的阻挡层。如在p-n结的制造过程

中，SiO2薄膜可用来定义结的区域。

图(a)显示一无覆盖层的硅晶片，正

准备进行氧化步骤。在氧化步骤结

束后，一层SiO2就会均匀地形成在

晶片表面。为简化讨论，图(b)只显

示被氧化晶片的上表层。

光刻技术被用来界定p-n结的几何形状。

在形成SiO2之后，利用高速旋转机，在晶

片表面旋涂一层对紫外光敏感的材料，称

为光刻胶(photoresist)。将晶片从旋转机

拿下之后[图(c)]，在80ºC～100ºC之间烘

烤，驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶，

加强光刻胶与晶片的附着力。如图(d)示，

下一个步骤用UV光源，通过一有图案的掩

模版对晶片进行曝光。被光刻胶覆盖的晶

片在其曝光的区域将依据光刻胶的型态进

行化学反应。而被暴露在光线中的光刻胶

会进行聚合反应，且在光刻胶中不易去除。

聚合物区域在晶片放进显影剂(developer)

后仍然存在，而未被曝光区域(在不透明掩

模版区域之下)会溶解并被洗去。

图(a)为显影后的晶片。晶片再

次于120℃～180℃之间烘烤

20min，以加强对衬底的附着

力和即将进行的刻蚀步骤的抗

蚀能力。然后使用缓冲氢氟酸

作酸刻蚀液来移除没有被光刻

胶保护的二氧化硅表面，如图

4(b)示。最后用化学溶剂或等

离子体氧化系统剥离(stripped)

光刻胶。图(c)显示光刻步骤之

后，没有氧化层区域(一个窗户)

的最终结果。晶片此时已经完

成准备工作，可接着用扩散或

离子注入步骤形成p-n结。

扩散中，没有被SiO2保护的半

导体表面暴露在相反型态的高

浓度杂质中。杂质利用固态扩

散方式，进入半导体晶格。离

子注入时，将欲掺杂的高能

杂质离子加速，然后注入半导

体内。SiO2可作为阻挡杂质扩

散或离子注入的阻挡层。在扩

散或离子注入步骤之后，p-n结

已经形成，如图(d)所示。由于

被注入的离子横向扩散或横向

散开(lateralstraggle，又译横

向游走)的关系，p型区域会比

所开的窗户稍微宽些。

在掺杂步骤之后，欧姆接触和连

线在接着的金属化步骤完成

[图(e)]。金属薄膜可以用

PVD和CVD来形成。光刻

步骤再度用来定义正面接触

点，如