《微电子工艺》第2章加工环境和衬底制备.pptx

;TextbookandReferences;目标(Objectives);从元素周期表上至少可以认出两种半导体材料

列出n型和p型的掺杂物

描述一个二极管和一个MOS晶体管列出在半导体工业所制造的三种芯片

列出至少四种芯片制造上必备的基本制程

说明为何硅比其他半导体材料更被普遍及采用的两个理由

列出单晶硅所偏爱的两种晶向

列出从砂形成硅的基本步骤

叙述CZ法和悬浮区法

;集成电路生产流程;生产厂房的成本;微电子产业的特点之一：高次品率

影响成品率的因素：硅片直径、芯片尺寸、工艺成熟性、工艺步骤数以及晶体缺陷等。

例：2英寸硅片，缺陷密度为D＝1/cm2

加工10mm×10mm芯片，可加工数12，其中4个无缺陷，成品率33％；加工5mm×5mm芯片，可加工数57，其中41个无缺陷，成品率72％。;晶圆合格率;总合格率;生产厂房为何赚(赔)钱;生产工厂如何赚(赔)钱;生产量;Question：假如集成电路制造的每一道制备步骤的晶粒合格率都是99%，而且共有600道制备步骤，试问整体的晶粒合格率是多少?

解答：相当于99%自乘600次

0.99600=0.0024=0.24%

几乎没有合格率可言!!;缩小线宽，减小芯片面积：物理、技术＆成本的限制；致命缺陷数目增加。

致命缺陷：位于器件关键部位并使器件产生致命性失效的缺陷。线宽减半，潜在危害的缺陷数目增加4～8倍

降低缺陷密度：泊松模型：

如芯片面积已知，根据泊松模型可计算出不同成品率所要求芯片的缺陷密度。

例：芯片面积10cm2，成品率要求99％时，采用泊松模型计算的缺陷密度为：0.001个/cm2，意味着：三个12英寸(300mm)硅片上的致命缺陷数只允许有2个，这是非常高的洁净度要求。;缺陷：可能引起产品失效的任何事物。不完善的工艺控制、可靠性问题、微粒以及制造环境中其他类型污染物都是缺陷的来源。

缺陷从哪里来？

系统缺陷:工艺错误、设备故障、工艺能力的局限性、起始材料的不纯和设计错误。

随机缺陷：保护膜上的针孔、颗粒在硅片上的粘附、金属线的腐蚀等。

缺陷在以下三个特定功能领域对工艺过程和器件产生影响：器件工艺成品率、器件效能、器件可靠性;成品率模型

泊松模型(指数模型)：假设整个硅片缺陷密度均匀，且硅片之间完全相同。??用于低密度的中等集成电路。

墨菲模型：广泛应用的成品率预测模型。假设缺陷密度在硅片上和硅片之间都不相同，存在中央趋势：中心缺陷密度低，边缘缺陷密度高。是预测VLSI和ULSI成品率的优秀模型。

Seed模型：也假设硅片上和硅片之间存在不同缺陷变化，适用于VLSI和ULSI技术的硅片。;成品率模型的有效性：成品率模型在模拟稳定的制作工艺时有效，这意味着随机缺陷造成的芯片失效是可以预测的。对于非随机缺陷(如芯片设计的修改)造成的芯片失效，这些模型是无法预测的。

成品率模型的适用性：微电子制造领域实际使用的成品率模型很多，它们大多适用于特定公司的产品和制作工艺。开发精确的成品率模型是很多公司正在进行的工作。

成品率管理：微电子制造的一个重要目标是减少缺陷，加快成品率斜线上升的速度，提高日益复杂的微电子器件的成品率。;每百分之一都有巨大价值

百分之一成品率的价值是多少？

假如整个制造厂的平均成品率是70％

假如制造厂芯片总收入是6亿美元

成品率70％→71％意味着：多出1.4％的芯片，或每百分之一成品率的提升，增加840万美元的收益

为减少缺陷和提高成品率，

必须促进缺陷来源的探测、控制、减少、消除和预防。;合格率和晶粒尺寸;晶圆产品示意;;微电子加工环境;污染物：微电子制造过程中引入硅片的任何危害芯片成品率及电学性能的不希望存在的物质。包括微粒、金属离子、化学物质、细菌和静电

微粒：微粒污染是成品率损失的较大贡献者，微粒大小要小于器件上最小特征尺寸的1/10

每步每片上的颗粒数(PWP)：一道工序引入到硅片中的超过某一关键尺寸的颗粒数。

颗粒检测广泛采用激光束扫描硅片表面以及检测颗粒散射的光强位置来进行。;金属离子：可移动离子污染物(MIC)

材料中以离子形态存在的金属离子，在半导体材料中有很强的可移动性。

对芯片的危害：即便器件通过了电性能测试并且运送出去，MIC仍可在器件中移动，影响电学性能和长期可靠性。MIC问题在MOS器件中表现最为严重，会造成：氧化物-多晶硅栅结构性缺陷、pn结漏电流增加、少数载流子寿命减少、阈值电压改变

金属离子中，Na最常见、移动性最强，是控制的首要目标，必须≤1010atoms/cm2;金属离子的来源：

化学溶液：存在于绝大部分化学物质中。

微电子制造的各工序：离子注入造成的金属离子污染，在1012~1013atoms/cm2之间。

化学品与传输管道和容器的