《微电子工艺》第7章接触、隔离与互连.pptx

第7章接触、隔离与互连;TextbookandReferences;集成电路工艺流程;目标(Objectives);列出三种绝缘形成的方法

描述侧壁空间层工艺和应用

列出三种用在MOSFET栅极的导体

辨识在一个集成电路芯片中最常被用来当做最后钝化层的材料;后端工艺[backendofthelinetechnology(BEOL)]：将器件连接成特定的电路结构：金属线及介质的制作，使得金属线在电学和物理上均被介质隔离。;后端工艺越来越重要

占了工艺步骤中大部分

影响IC芯片的速度;其中εox是介质的介电常数，K是边缘场效应的修正系数，ρ是金属线的电阻率;2.金属化;对IC金属化系统的主要要求;常用金属薄膜比较

金膜：早期的金属化材料

缺点：与Si的接触电阻很高，下部需要一个铂中间层；柔软，上部需要一层钼；优点：导电性最好。工艺：溅射

铜膜：新一代的金属化材料，超大规模集成电路的内连线

缺点：与Si的接触电阻高，不能直接使用；铜在Si中是快扩散杂质，能使Si中毒，铜进入Si内改变器件性能；与Si、SiO2粘附性差。优点：电阻率低(只有铝的40-45%)，导电性较好；抗电迁移性好于铝两个数量级。工艺：溅射

铝膜:大多数微电子器件或集成电路是采用铝膜做金属化材料

缺点：抗电迁移性差；耐腐蚀性、稳定性差；台阶覆盖性较差。

优点：导电性较好；与p-Si，n+-Si(5×1019)能形成良好的欧姆接触；光刻性好；与二氧化硅黏合性好；易键合。

工艺：蒸发，溅射;CMOS:标准金属化工艺;应用:局部互连;可能形成互连的导电材料;;应用:栅极和电极;问与答;PropertiesofInterconnectMaterials;定义：零偏压附近电流密度随电压的变化率;整流接触;当金属与半导体之间的载流子输运以隧道穿透为主时，?c与半导体的掺杂浓度N及金－半接触的势垒高度q?b有下面的关系

q?b在数值上等于金属费米能级上的电子进入半导体所需的能量。

结论：要获得低接触电阻的金-半接触，必须减小金-半接触的势垒高度及提高半导体的掺杂浓度

;形成欧姆接触的方式;铝互连技术

因为铝及铝合金具有低电阻率(铝约为2.7??·cm，铝合金最高约为3.5??·cm)，故可满足低电阻的需求，此外，铝附着于二氧化硅上的特性极佳。因此，铝及???合金在IC金属化工艺中使用范围相当广泛，在源极/汲极的区域中，铝金属线可以直接与硅接触。

然而IC工艺中使用铝于浅结上易造成尖锲(spiking)或电迁移(electro-migration)的问题。;Al/Si接触中的尖楔现象;右图为1atm下铝-硅体系的相图，显示材料组成与温度间的关系。铝-硅体系有低共熔特性，即将两者互相掺杂时，合金的熔点较两者中任何一种材料都低，熔点的最低点称为共熔温度(eutectictemperature)，Al-Si体系为577℃，相当于硅占11.3％、铝占88.7％的合金熔点。而纯铝与纯硅的熔点分别为660℃及1412℃。基于此，淀积铝膜时硅衬底的温度必须低于577℃。;右图中的插图为硅元素在铝中的固态溶解度。如400℃时硅在铝中的固态溶解度约为0.25％(重量比，下同)；450℃时为0.5％；500℃时为0.8％。因此，铝与硅接触时，硅将会溶解到铝中，其溶解量不仅与退火温度有关，也和铝的体积有关。;考虑一铝的长导线，铝与硅的接触面积为ZL，经退火时间t后，硅将沿与铝线接触的边缘扩散，长度为(Dt)1/2，假设硅在此段膜中已经达到饱和，则消耗硅的体积为(S为退火后硅在铝中的固溶度);考虑一铝的长导线，铝与硅的接触面积为ZL=16μm2，Z=5μm，H=1μm，在T=500℃退火时间t=30min后，求被消耗的硅的厚度。计算时假设为均匀溶解。;事实上，硅并不会均匀地溶解，而是发生在某些点上。下图为在p-n结中，铝穿透到硅中的实际情形，可观察到仅有少数几个点有尖锲形成。

铝的尖锲穿透掺杂接面

使源极/汲极与晶圆形成短路;铝的尖楔SEM照片;减少铝尖锲的方法一种是将铝与硅共同蒸发，使铝中的硅含量到达固态溶解的要求。另一种方法是在铝与硅衬底中加入金属阻挡层(DiffusionBarrier)(如下图所示)。此层必须满足以下的要求：①与硅形成的接触电阻要小；②不会与铝起反应；③淀积及形成方式必须与其他所有工艺相容。

目前，经评估发现TiN可在550℃、30min退火环境下呈现稳定状态，适合作为金属阻挡层。;铝的电迁移;电迁移引起的到平均失效时间(MTF)与电流密度J及激活能Ea间的关系大致为;阻止电迁移的方法有

与0.5～4％铜形成合金(可以降低铝原子在晶间的扩散系数。但同时电阻率会增加！)、以介质将导通封闭起来