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集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第1页
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考
试题库2023年
1.画小信号等效电路时，恒定电流源视为。
答案:
开路
2.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。
答案:
增益
3.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。
答案:
输出摆幅
4.题1-1-1中国高端芯片联盟正式成立时间是：。
答案:
2016年7月
5.题1-1-2如下不是集成电路产业特性的是：。
答案:
低风险
6.题1-1-3摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔：个月便会
增加一倍，性能也将提升一倍。
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第1页
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第2页
答案:
18
7.MOS管的小信号模型中，体现沟长调制效应的参数是（）。
答案:
8.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。
答案:
电压控制电流源
9.下图中的MOS管工作在区（假定Vth=0.7V）。【图片】
答案:
饱和区
10.一个MOS管的本征增益表述错误的是。
答案:
与MOS管电流无关
11.工作在区的MOS管，其跨导是恒定值。
答案:
饱和
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第2页
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第3页
12.MOS管中相对最大的寄生电容是。
答案:
栅极氧化层电容
13.MOS管的小信号输出电阻【图片】是由MOS管的效应产生的。
答案:
沟长调制
14.题1-1-4摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展
主线的是：。
答案:
SoC
15.题1-1-5单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为：。
答案:
VLSI
16.题1-1-6年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
答案:
1947
17.题1-1-7年发明了世界上第一块集成电路。
答案:
1958
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第3页
集成电路设计基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年--第4页
18.题1-1-8FinFET等多种新结构器件的发明人是：。
答案:
胡正明
19.题1-1-9集成电路代工产业的缔造者：。
答案:
张忠谋
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