微电子工艺学A智慧树知到课后章节答案2025年下上海大学.pdfVIP

博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》

微电子工艺学A智慧树知到课后章2025年下上海大学

上海大学

第一章测试

1.世界上第一个集成电路制造所用的衬底是（）。

A:多晶硅

B:硅单晶

C:金衬底

D:锗单晶

答案:锗单晶

2.麒麟980芯片采用的工艺水平是（）。

A:10nm

B:5nm

C:7nm

D:9nm

答案:7nm

3.发明集成电路的公司有（）。

A:英特尔

B:英伟达

C:仙童半导体

D:德州仪器

答案:仙童半导体

士不可以不弘毅，任重而道远。仁以为己任，不亦重乎?死而后已，不亦远乎?——《论语》

;德州仪器

4.微电子产业的特点有()。

A:商品寿命短

B:制造环境要求高

C:对材料及产品可靠性要求高

D:技术含量高，人才需要大

答案:商品寿命短

;制造环境要求高

;对材料及产品可靠性要求高

;技术含量高，人才需要大

5.摩尔定律会一直发展下去。（）

A:对B:错

答案:错

6.集成电路制造所需的单晶硅纯度在11－12个9。（）

A:错B:对

答案:对

第二章测试

1.如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（）。

A:增加注入剂量

乐民之乐者，民亦乐其乐；忧民之忧者，民亦忧其忧。——《孟子》

B:表面预非晶化

C:表面用掩膜

D:增加注入能量

答案:增加注入能量

2.下列哪个杂质允许在硅中存在的？()

A:Na

B:C

C:O

D:Cu

答案:Cu

3.硅的四种掺杂方式有以下几种？（）

A:离子注入

B:原位掺杂

C:扩散掺杂法

D:中子嬗变掺杂

答案:离子注入

;原位掺杂

;扩散掺杂法

;中子嬗变掺杂

4.金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（）

A:错B:对

答案:错

以铜为镜，可以正衣冠；以古为镜，可以知兴替；以人为镜，可以明得失。——《旧唐书·魏征列传》

5.硅的解理面为（1