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·36·I990年第1期
简谈半导体制造工艺用高纯气体
刘宜家
(峨眉半导体材料研究所)
[擅耍]本文论述了生产半导体甩的特种高地气体的种类、特性、J责量砭主
要用途，井简连了国内的研制概况。
在向l微米或亚微米，可过渲。预计90
年代初期将会稳定在1微米的线宽工艺上，
一、前言
9O年代中期会进一步缩小至O．5微米．而
随着集成电路(Ic)的产量性能及末期将达O．35微米。萸特尔(Inte1)公
集成度的不断提高，半导体工艺用的各种司推出的64兆位的微处理器i860，是相当
高纯气体，种类繁多，达约10O种。据薛于在一个芯片上有100万个管芯的VLSI器
鸿堡报导，特种气体中，单元纯气体竟有件[2]。
260种之多￡l1。这些气体大多是可燃、有在半导体集嗷电路(IC)、大规模集
毒、腐蚀性气体，是其它领域不用的，专成电路(LSI)、VLSI及电力电子元器
门为半导体生产用而研究、开发的。件的研制与生产过程中，需要使用多品
半导体器件的研制与开发日新月异。种、高质量的特种高纯气体和电子气。无
目前，美日等国在市场上推出的微机系疑，没有大直径的优质硅片生产技术(目
统，正在用1兆位(1M)芯片替代256K前，日本批量生产1M位DRAM，仍以
位(256K的芯片，而奠托罗拉(Mot—152．4ram硅片为主，已有部分外资厂家
OrO[a)和东芝(Toshiba)已完成了4兆开始采用2O：．2mm硅片(3))。没有洁净，
位的研制，即将投入批量生产。美国国际商超净技术，没有超微细和超精密加工的器
业机器公司(IBM)、日本电电公司(NTT)件制作技术、没有质量完全符合器件工艺
和松下(Matsttshita)在近l一2年中研要求的各种超高纯特种气体和电子气，要
制成功了l6兆位的动态随机存储器(DRA研制如上所述的LSI~flVLSI器件是根本
M)，现在正在为研制64兆位的DRAM不可能的。
而奋斗。而藤津(Fujitsu)公司走得更本文将就最为关键之一的后者作以下
远，正在研制2OO兆位的。五个，i】f『的叙述。
静态随机存储器(SRAM)难度稍大，(1)半导体用特种高纯气体的种类和
美国将于1689年推出1兆位的SRAM，1990主要用途；
年推出4兆位的，1993年推出16兆直『的。(2)半导体月1高纯气体的特tq-
超大规模集成电j}}f(VLS[)器件线(3)半碍体用高纯体的质j
宽现已达1．5--1．25微米，有的领先产品(4)高纯气体供、排气系统的高性能
“四川有色金属·
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