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半导体材料专用加工刀具.docxVIP

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半导体材料专用加工刀具

1范围

本文件规定了半导体材料专用加工刀具的术语和定义、分类、基本要求、工艺流程、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存及质量承诺内容。

本文件适用于半导体材料专用加工刀具。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T4309粉末冶金材料分类和牌号表示方法

GB/T5305手工具包装、标志、运输与贮存

GB/T6461金属基体上金属和其它无机覆盖层经腐蚀试验后的试样和试件的评级GB/T9286色漆和清漆划格试验

GB/T10125人造气氛腐蚀试验盐雾试验

GB/T13818压铸锌合金

GB/T15115压铸铝合金

GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求

3术语和定义

本文件没有需要界定的术语和定义。

4分类

半导体材料专用加工刀具分类见表1。

表1分类

序号

粒度号

颗粒尺寸/um

使用范围

1

12#、14#、16#

2000~1000

粗磨、荒磨、打磨毛刺

2

20#、24#、30#、36#

1000~400

磨钢锭、打磨铸件毛刺、切断钢坯等

3

46#、60#

400~250

内圆、外圆、平面、无心磨、工具磨等

4

70#、80#

250~160

内圆、外圆、平面、无心磨、工具磨等半精磨、精磨

5

100#、120#、150#、180#、240#

160~50

半精磨、精磨、珩磨、成型磨、工具磨等

6

W40、W28、W20

50~14

精磨、超精磨、珩磨、螺纹磨、镜面磨等

7

W14~更细

14~2.5

精磨、超精磨、镜面磨、研磨、抛光等

5基本要求

5.1设计研发

5.1.1应具备产品外形、功能结构、使用安全性等特性的设计研发能力。

5.1.2应具备模具模流分析和优化设计压铸成型过程的能力。

5.1.3应具备零部件铸造加工及产品装配全过程的工装夹具设计能力。

5.1.4应具备运用三维软件对产品进行仿真、优化、验证的能力。

5.2原材料与零部件

2

5.2.1铝合金材料应符合GB/T15115规定,锌合金材料应符合GB/T13818规定。

5.2.2铁二镍及铁基合金材料应符合GB/T4309规定。

5.2.3刀体涂层、刀体及构件材料应符合GB/T26572的规定,其限用物质限量要求应符合表2规定。

表2限用物质限量要求

单位:ppm

铅(Pb)

汞(Hg)

镉(Cd)

六价铬(Cr6+)

多溴联苯(PBB)

多溴二苯醚

(PBDE)

≤1000

≤1000

≤100

≤1000

≤1000

≤1000

5.3工艺装备

5.3.1刀片、滚轮应采用数控车床加工。

5.3.2刀片应采用真空热处理工艺。

5.3.3应配置伺服控制的自动螺丝机等自动化工艺装备辅助产品组合装配。

5.4检验检测

5.4.1应具备对外观质量、装配、耐腐蚀性、抗跌落、使用寿命等项目的检测能力。

5.4.2应配备对耐腐蚀性进行测试的盐雾测试机。

6工艺流程

6.1制备基本工艺过程

半导体刀具适用于干磨和湿磨,特别是使用水基和油基磨削液的条件下。半导体刀具的良好弹性使其适用于超精确磨削和表面抛光,其制备流程见图1。

图1生产工艺流程

6.2混料工艺规程

6.2.1工序目的

混料工序的目的是将树脂、填充料、着色剂等均匀地粘附在刀具表面。

6.2.2设备主要参数

设备主要参数为:

——混料锅容积:1.0m3;

——搅拌转速:48r.p.m。

6.2.3工艺参数

搅拌时间应为15分钟左右。

6.2.4主要操作过程

主要操作过程应按如下步骤顺序进行。

a)称料:严格按配方将各种原料分别称好,放好,并做好相应的标识。

3

b)混磨料:将称好的磨料加入上搅拌锅内。

c)加树脂液:将称好的树脂液加入上搅拌锅内,混合约两分钟。

d)加填充料:待上锅加入液体树脂的料混合约2分钟左右,将称好的填充料、着色剂加入上搅拌锅内。

e)搅拌:将上述原料搅拌至均匀状态后放入下搅拌锅(共7分钟左右)。

f)加树脂粉:将树脂粉加入下搅拌锅内。

g)搅拌:将上锅混合好的料翻入下锅,开机,搅拌至均匀状态约5分钟左右加入润湿剂后再混合2分钟左右出锅。

h)落料:将砂箱放在振筛下,打开振筛马达和落料口,将混料全部铲入砂箱内,关机。i)整理:将上下锅

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