半导体制造技术智慧树知到答案章节测试2025年上海工程技术大学.pdfVIP

饭疏食，饮水，曲肱而枕之，乐亦在其中矣。不义而富且贵，于我如浮云。——《论语》

第一章测试

1.摩尔定律“”是（）提出的？

A:2025年

B:2025年

C:2025

D:2025年

答案:A

2.第一个晶体管是（）材料晶体管？

A:锗

B:硅

C:碳

答案:A

3.戈登摩尔是（）科学家。

A:德国

B:美国

C:法国

D:英国

答案:B

4.第一个集成电路在（）被研制。

A:1960

B:1955

C:1965

D:1958

答案:D

5.（）被称为中国“芯片之父”。1、

A:邓中翰

B:许居衍

C:沈绪榜

D:吴德馨

答案:A

第二章测试

1.硅在地壳中的储量为（）。

A:第四

B:第二

C:第三

D:第一

答案:B

2.脱氧后的沙子主要以（）的形式。

A:碳化硅

子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》

B:硅

C:二氧化硅

答案:C

3.半导体级硅的纯度（）。

A:99.99999％

B:99.999999％

C:99.999％

D:99.9999999％

答案:D

4.西门子工艺制备得到的硅为单晶硅。（）

A:对

B:错

答案:B

5.一片硅片只有一个定位边。（）

A:错

B:对

答案:A

6.晶面指数（m1m2m3）：m1、m2、m3分别为晶面在X、Y、Z轴上截距

的倒数。（）

A:错

B:对

答案:B

第三章测试

1.通过薄膜淀积方法生长薄膜不消耗衬底的材料。（）

A:对

B:错

答案:A

2.热氧化法在硅衬底上制备二氧化硅需要消耗硅衬底。（）

A:错

B:对

答案:B

3.二氧化硅可以与氢氟酸发生