教学课件：第五章(全)光电子技术介绍.ppt

123简称PC(Photoconductive)探测器，也称为光敏电阻。工作要求：为有源器件，工作时需要加适当的偏流或者偏压。主要类型：本征型、杂质型、薄膜型和扫积型。123第五章：光电导探测器5.1光电导探测器的工作原理及电流分析一、光生电流的计算材料：n型半导体VA：外加电压IP：光生电流α：光电导材料的吸收系数R：表面反射率。τ0：载流子平均寿命。P：入射的光功率。入射光沿x方向的变化为：（）LPdwxVA图5.1、光电导探测器模型如果n(x)表示在x处光生载流子浓度，在外加电场作用下该处的漂移电流密度J(x)为：（）为光生载流子在外加电场作用下的漂移速度在探测器收集极上光电流平均值为假如探测器光敏面受均匀照射，电流平均值可以写成（）：为电子迁移率。（）光生载流子浓度计算：在x处单位长度材料上吸收的光功率为αP(x)：：在x处单位时间吸收的光子数:在x方向上单位长度体积内的被吸收的光子数密度,由于α包含了量子效率在里面，因此也等于单位时间、单位体积产生的光电子数。：单位时间、单位体积内复合掉的光电子数。平衡状态下产生的光电子数等于复合掉的光电子数，因此有（）（）代入（）式后得到光电流为:得到计算量子效：Ip：产生的实际光电流;Ip0：入射光子全部被吸收所产生的光电流当入射光全部被半导体材料吸收时，在平衡状态下有(5.1.9)（）其中称为光电导探测器的内增益，计算Ip0得到光生载流子浓度为(5.1.10)01(5.1.11)02得到量子效率为把上式代入(5.1.8)式可以得到03可以得到相应的光电流为：讨论G值：①G=1：表示光电子寿命τ0刚好等于它在电极间的渡越时间τd，每产生一个光电子对外回路电流正好提供一个电子的电荷e。②G1：表示光电子寿命τ0小于电极间的渡越时间τd，每个光电子对外回路电流的贡献将小于一个电子的电荷e。③G1：空穴在移动过程中很容易被光电导材料体内的晶体缺陷和杂质形成的陷阱俘获。当光电子在阳极消失时，空穴仍留在体内，它将负极的电子感应到半导体中来，感应进来的电子又在电场作用下运动到阳极，如此循环，直到正电中心消失。这种效应相当于一个光子激发，可以有多个电子相继通过电极，因而在外回路对总的光电流的贡献将多于一个电子，相当于电流被放大。5.2光电导探测器的噪声及性能参数、噪声：主要有热噪声、产生-复合噪声和1/f噪声。总的噪声功率为噪声功率谱密度分布特点①低频段主要是1/f噪声②中频段主要是g-r噪声③高频段以热噪声为主④噪声谱转折点与半导体材料和结构、工艺有关系，对大多数光电导探测器来说，这两个转折点大致在1KHz、1MHz量级，通常的工作频率范围内g-r噪声是主要的。1kHz1MHz图5.2、光电导探测器的噪声分布响应率1电流响应率：2电压响应率：3（）4前面的推导我们已经得到5可以得到响应率为：6把代入上式，可以得到电流响应率为：7二、光电导探测器的性能参数（）提高响应率的方法：(1)提高偏压VA的值，偏压越高，输出电流越大，响应率越高，但偏压过高，通过器件的电流产生的焦耳热将增加。(2)提高载流子寿命，可以在半导体中加入一些陷阱来提高载流子寿命进而提高响应率，但会减慢响应速度。(3)当入射的光功率一定时，减小光敏面积能够提高单位体积内光生载流子的数量，进而提高响应率。B、光谱特性光电导探测器是选择性探测器，典型的光谱特性如右图λp：峰值响应波长λC：长波限波长RV/RVP1.00.5λPλC图5.3、光谱响应特征光谱响应曲线分析：①采用的半导体材料不同导致不同的光谱响应波段：②当波长由长波限端开始变小时，相应的光子能量增大，随着波长的减小所有价电子有可能被激发至导带，入射光全部被吸收，光生载流子的浓度达到最大，此时，光电导响应率达到最大值。继续减小入射波长，可使光在器件表面很薄的一