电子背散射衍射(EBSD)技术简介整理.pptVIP

EBSD术语L(探测距离-DD)荧光屏样品电子束背散射电子A花样中心(PC)工作距离(WD)EBSD如何工作?一个完整的标定过程图像处理及菊池带识别采集花样与数据库进行相及取向的对比校对并给出标定结果输出相及取向结果取点多点自动标定过程CollectedEBSP(+/-EDSdata)IndexedEBSPPhaseandorientationDetectbandsMovebeamorstageSavedatatofileMaximumcycletimecurrently100cycles/sec(sample/conditionsdependent)两种扫描方式电子束扫描电子束移动，样品台不动操作简单，速度快。容易聚焦不准样品台扫描电子束移动，样品台不动可以大面积扫描速度慢，步长1微米以上01点扫描单个点的取向信息。02线扫描得到一条线上的取向信息03面扫描可以得到取向成像图。扫描类型面扫描模式目录1晶体学及织构基础2EBSD技术的原理4镁合金EBSD样品制备方法3EBSD数据分析及图像解释EBSD数据信息测量偏差菊池带信息相空间坐标取向信息EBSD图像解释EBSD-电子背散射衍射分析，是显微结构表征的有力工具，它可以检测：晶体取向晶粒尺寸织构再结晶/变形分布亚结构分析应变分析晶界特性CSL边界分布滑移系统分析相鉴定，分布及相变断裂分析...2.1晶粒尺寸、形状分析EBSD技术利用取向成像法，在获取显示晶粒形貌的图像的同时，可方便地测量其晶粒尺寸及尺寸分布，直径约20?m的晶粒数量最多。影响晶粒尺寸测量结果的因素主要是，扫描步长和取向差角范围的设定图2.1镍晶粒形貌的取向成像图100mm图2.2镍晶粒尺寸分布图Ni晶粒的取向差统计图，大多数晶粒的取向差小于3或等于60晶粒取向差沿一直线的变化。在晶粒内部取向差变化很小(3?)；在晶界处取向差出现一个突变，如15、40、60等图2.3取向差沿直线上的变化曲线图2.4晶粒取向差统计图晶粒取向分布及取向差目录1晶体学及织构基础2EBSD技术的原理4镁合金EBSD样品制备方法3EBSD数据分析及图像解释取向(差)的定义及表征01040203晶体的[100]-[010]-[001]坐标系CCS相对于样品坐标系SCS：RD(rollingdirection,轧向)-TD(transversedirection,横向)-ND(normaldirection,法向)（或X-Y-Z）的位置关系。RDNDTD取向差的定义两个晶体坐标系之间的关系crystalcoordinatesystemforcrystal1(CCS1)crystalcoordinatesystemforcrystal2(CCS2)CCS2CCS1SCS取向取向差Angle/axisofrotation04Eulerangles03Millerindices02RotationmatrixG01取向(差)的表征(1)RotationmatrixGTherotationofthesampleaxesontothecrystalaxes,i.e.CCS=g.SCSXYZSCSCCS[001][010][100]?1,?1,?1areanglesbetween[100]andX,Y,Z?2,?2,?2areanglesbetween[010]andX,Y,Z?3,?3,?3areanglesbetween[001]andX,Y,Z(2)MillerIndices(hkl)[uvw],(hkl)||轧面,[uvw]||轧向{hkl}uvwMiller指数族Foracubiccrystalstructure,(hkl)[uvw]等效于[hkl]||Zand[uvw]||X第一次：绕Z轴（ND）转φ1角第二次：绕新的X轴（RD）转Φ角第三次：绕新的Z轴（ND）转φ2角这时样品坐标轴和晶体坐标轴重合。Euler角（φ1,Φ,φ2)的物理意