《模拟电子技术》课件——半导体基础知识.pptxVIP

下载本文档

0
0
约小于1千字
约 13页
2025-01-22 发布于福建
举报
版权申诉

《模拟电子技术》课件——半导体基础知识.pptx

此“教育”领域文档为创作者个人分享资料，不作为权威性指导和指引，仅供参考

1、本文档共13页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

模拟电子技术

半导体基础知识

——目录——123本征半导体杂质半导体PN结的原理

问题导航半导体与电子技术没有具体了解过半导体，但一定听说过半导体，听闻了半导体的竞争！

本征半导体半导体—导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。材料—一般采用“硅材料”或“锗材料”。硅原子结构锗原子结构等效分析模型+4GeSi外层电子28184284原子核

本征半导体本征半导体—纯净的硅/锗材料制成，形成单晶体结构原始晶体结构本征激发结果温度光照导电空穴自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4共价键空穴与电子产生定向移动，形成电流

杂质半导体N型半导体N型磷原子结构+4+4+5+4参杂P285+4+4电子为多数载流子空穴为少数载流子磷原子自由电子

杂质半导体P型半导体P型磷原子结构参杂+4+4+4+4B23+3+4空穴为多数载流子电子为少数载流子硼原子导电空穴

PN结的原理PN结的形成P型N型内建电场1.载流子的浓度差引起多子的扩散2.复合使交界面形成空间电荷区:特点：该区域的多数载流子基本被耗尽，无法导电形成了PN结，产生内建电场，方向：N型-P型

PN结的原理PN结的单向导电性1.外加正向电压(正向偏置)IF外电场使多子向PN结移动,P区N区结果：使空间电荷区变窄外电场内电场+?扩散运动加强形成正向电流IF。RU2.外加反向电压(反向偏置)IR外电场使多子背离PN结移动,结果：使空间电荷区变宽P区N区反向电流被阻止，不能导通漂移运动形成微弱反向电流IR内电场外电场?+UR

PN结的原理PN结的电容效应PN结加正向电压PN结加反向电压当PN上的电压发生变化时，PN结中储存的电荷量将随之发生变化，使PN结具有电容效应，影响PN结的工作频率。

本课总结半导体：导电性介于导体与绝缘体之间，主要包括硅与锗；当本征激发后形成自由电子，但其导电能力较弱。PN结：参入不同类型杂质后，分别形成P型与N型半导体；当P型与N型进行复合时，在交界处将形成PN结；PN结具有单向导电特性，同时也伴随着结电容。

谢谢观看主讲人：陈肯