纳米科技导论-10-纳米技术应用集景之三-修改.pptVIP

纳米光栅的压印制作工艺;图1衍射光栅的原理;以纳米光栅为代表的纳米尺度光子学的应用越来越广泛.;在太阳能领域，光栅被用来进一步的提高光电转换效率，如图3所示。在薄膜太阳能电池中的光程过短是影响太阳能效率非常重要的一个原因，垂直入射的光进入太阳能电池后在硅薄膜的底端被反射，从而离开光电池，光在电池中所经历的吸收光程非常的短。;一、光栅的压印工艺;电子束曝光（E-Beam）：利用高能的电子束对光刻胶进行曝光，采用很细的电子束斑和很小的步距按照设计的图形在光刻胶上扫描曝光，显影后得到设计的图案。该技术的优点是可制作任意图形，图形分辨率非常高，最小可达几个纳米。缺点是需要用很细的电子束斑和很小的步距进行直写，曝光时间非常长，产出慢，系统复杂度高，购置和维护费用很高，因此更适合于小面积、少数样品的科研实验。;极紫外光刻（EUV）：利用极紫外光对光刻胶进行曝光。首先在光刻胶和曝光光源的中间放置具有要曝光图案的掩膜板，经调节对准后，经过显影将掩模板上的图案转移到光刻胶上去。该技术较短的时间就可以实现整片大面积、极小分辨率图形的复制，但是系统对光源和光路系统的要求都非常高，购置和维护费用非常高。

因此，需要一种工艺技术，不仅能够满足100nm最小特征尺寸的要求，还必须具备低成本、高产出、能够制作相移的优点，而现有的工艺技术无法兼顾这些因素，而纳米压印是解决这一难题非常具有竞争力的技术之一。;二、纳米压印的原理;热压印（hot-embossingimprint）是最先被Chou开发出来的纳米压印技术，也是使用最普遍的压印技术。其原理如图4所示：;热压印的一种新型的改进技术是激光辅助纳米压印技术，如图5所示：可以将被压印的半导体晶片用激光脉冲熔化，然后用模版直接把图形压印到半导体晶片上，之后关闭激光脉冲，待半导体晶片冷却后迅速的脱模，该技术的优点是不需要压印胶和后续的刻蚀工艺，图形直接的由模版转移到晶片上，效率非常的高。;紫外压印（UVimprint）则分为两种，一种为紫外与热压印同时进行（STU）的压印技术，如图6所示：;另一种称为滴胶式压印技术???不同的是将流动性很好的紫外压印胶滴上半导体晶片上的压印区域，而不是采用旋涂的方式，模版移动到需要压印的区域，开始逐渐下移，用很低的压力将模板压到晶片上，使压印胶分散开并填充成型。相比于STU压印，滴胶式紫外压印的工艺较为复杂，因为胶的液滴大小、液滴的分布情况都与需要压印的图形有很大的关系，如果没有掌握好，很有可能导致压印失败。但是滴胶式压印也有其优点，它只在需要压印的地方滴胶，因此可以大大减少压印胶的用量，从另一方面来说，需要压印的区域也可以通过滴胶的位置来进行选择。;微接触式压印（Microcontactimprint）与普通压印的功能不同。如图8所示：;三、纳米压印的应用;图9已报导的纳米压印技术在电子、MEMS方面的应用;在光电子领域，纳米压印技术几乎制作出了所有微纳光子学中涉及的器件（图10），微透镜、光栅、光子晶体、微环、MMI、AWG、可调谐滤波器、反射器，激光器、光互联器件、偏振分光器、表面等离子晶体、提高太阳能效率的陷光结构等。值得一提的是，利用纳米压印技术制作光子晶体和图形衬底提高LED的出光效率已经被很多厂商商业化。;图10已报导的纳米压印制作的光电器件;四、纳米压印的发展现状;虽然纳米压印技术有如上诸多优点，但是它同时也存在许多问题：

大面积模版制作困难，需要长时间的E-beam直写曝光，成本高、时间长、风险大。

压印模版的表面需要进行疏水处理，使聚合物压印胶与衬底的粘附性远远大于其与模版之间的粘附性，这样才能保证脱模时，模版不会将压印胶拉起来而破坏压印图形。

纳米压印工艺是接触式加工工艺，相比于非接触式加工工艺，更容易引入多种缺陷，另外，当压力不均匀时，模版在高压下与被压印的晶片接触时，有可能造成对两者的损坏。

同样是由于接触式工艺的原因，纳米压印技术对晶片平整度有非常高的要求，不平的晶片会产生非常严重的图形缺陷。;国内，上海交通大学、复旦大学和华中科技大学进行过一些纳米压印的工艺和制作器件的研究，制作的器件多在亚微米量级或接近纳米量级，制作图形面积也较小，还处于样品实验的阶段，不能达到100nm最小特征尺寸、大面积、高质量、高均匀性的要求。;五、纳米压印制作DFB激光器光栅;DFB激光器的应用;三、原子光谱学应用

k)原子钟(GALILEO,chipscaleatomicclock)

l)磁力计(SERF)

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四、新兴市场

a)精密测量(Ellipsometry,3Dvision)

b)夜视仪