脉冲功率开关技术.ppt

电场畸变型气体火花开关图中1，2为主电极，3为触发电极。触发电极3处在电极1、2间某一等位线位置，它在间隙中的电位用电阻R1、R2来控制，使电极3的电位按电极1、3间的距离和电极2、3间的距离分配。因为电极3的尺寸小，所以在触发脉冲加到电极3之前，可以认为电极1、2间的电位分布没有因为电极3而改变。未触发前主电极的电场分布较均匀，当触发脉冲加到电极3上后，电极3边缘的电场急剧增大，使电场畸变，同时产生场致发射，因而引起电场畸变较大的一侧先击穿。然后由于放电通道的连接作用，触发电极电位变成与击穿侧电极同电位，另一侧间隙因受到第一级击穿照射和过电压的作用而迅速击穿。场畸变开关的特点是触发特性良好，结构设计也不复杂，但是，由于有一个中间电极，存在着分压问题和对与中间电极的相连的触发系统的高压倒灌问题，到目前为止，场畸变型开关的工作电压不是太高。触发真空开关工作气压在10-4Pa以下，目前对于真空击穿的机理还没有统一的认识。01一般认为触发真空开关的工作过程包括触发阶段和主间隙导通阶段这两个主要阶段。02细分又包括：触发、导通、熄灭、恢复四过程。现以如图1.2所示的三电极系统为例来说明其工作原理。03触发真空开关--TVS（触发真空间隙--TVG）阳极0101020304阴极触发极图1.2平板型三电极真空开关020304真空开关的触发方式触发方式主要可分为三种：（1）等离子体触发，（2）电子束触发，（3）激光束触发。阳极阴极触发极图1.3等离子体沿面放电触发原理图图1.4激光触发间隙12345赝火花开关（Pseudo-sparkSwitch,PSS）赝火花开关是一种低气压（气压1-80Pa）的气体放电开关，工作在巴申曲线极小值的左边，此时电子的平均自由程可与电极间隙距离相比或更长。其结构图如图1.10。赝火花开关的触发方式有如下几种”1——平板触发电极;2——空心触发电极;3——开关空心阴极背面;4——电荷注入图1.11电荷注入触发的原理图电荷注入式，如图1.11所示，在空心阴极背面之外有一平板触发电极和一空心预电离电极，在预电离电极上加有数百伏直流负电压产生预电离（0.1-1mA)。当平板电极上突然施加2-5kV负极性触发脉冲时，预电离产生的电子得到加速而进入赝火花放电室。这种触发方式的优点是触发单元不影响主放电，也不易被开关中通过的大电流所损伤，因此开关的寿命可达亿次，重复频率可较高。1——充气口;2——抽真空;3——开关空心电极;4——网状电极;5——触发电极;6——电介质图1.12用电晕电极触发的原理图大功率超高速半导体开关RSD(ReverselySwitch-onDynistor)01RSD(ReverselySwitch-onDynistor)是由俄罗斯等人提出的一种新型高功率半导体闭合开关。它通过在发射结平面形成的均匀电子－空穴等离子体层代替门极来解决晶闸管的触发问题。02231半导体器件的开关特性，主要受以正常温度下电荷载流子的迁移率和密度的限制。传导较强的电流需要较大的导电区域。由于受载流子漂移距离的限制，不能像气体开关那样调整电极间距，所以提高开关功率只能增加载流通道的面积。晶闸管可控硅是一种pnpn层序的四层结构电力电子器件。有三个pn结，也可以看作是一对共用集电结的npn和pnp晶体管。每个晶体管的基极都有一个来自另一个晶体管集电极的驱动电流。反向截止导通状态三种工作模式：正向截止12345没有外界作用，晶闸管不会从导电状态恢复到阻止状态。如果要重新恢复晶闸管的阻止能力，必须降低电荷密度，使其低于临界值。图1.6晶闸管的导通扩展过程在高功率脉冲发生器中，开关是最重要的器件之一，它起着连接储能器件与负载的作用。脉冲功率系统中开关的作用：能量的转换，（switch），通过开关的动作（断开或闭合），来实现能量的转移。开关具有下列特性：电导率的变化范围应尽可能大，即要在完全绝缘体至导体之间变化；电导率的变化速度尽可能快。脉冲功率系统的开关0102脉冲功率系统开关的工作特点：工作的可靠性（该动作时必须动作，不该动作时绝不动作）精确的可控性（分散性小）高电压；大电流；快速（开通时间微秒至纳秒）脉冲功率开关的技术难点：脉冲大电流开关的种类很多，没有统一的分类标准，一般以开关的某一主要特征来进行分类。以开关的触发机理来分，可分为引燃管、三电极开关、激光触发开关等；以开关主电极的特性来分，可分为场畸变开关、空心阴极开关、热阴极开关、表面放电开关等。以开关的动作意图来分，可分为