金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 编制说明.docx

《金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法》

编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.1立项目的和意义

金刚石材料为超宽禁带半导体，具有载流子迁移率高、饱和漂移速度大、击穿场强高、热导率高、耐高温、抗辐照等优异的物理性质，是下一代高性能半导体器件的首选材料，已经被各国政府和科研人员所重点关注。目前在半导体金刚石材料和器件领域尚未有相关标准。谁能在半导体金刚石材料和器件方面首先指定出标准，谁就占据了该领域的发展先机。对于半导体金刚石材料，位错密度指标尤为重要，它很大程度上决定了材料质量和器件性能。因此，急需制定检测金刚石单晶位错密度的有关标准。

本标准旨在采用干法刻蚀结合显微观察的方法，以单位面积上刻蚀坑的数目表示位错密度，单位为个每平方厘米（个/cm2）。该方法为金刚石单晶衬底和外延材料的晶体质量提供准确的和标准化的检测机制，这对于金刚石单晶衬底和外延材料的研发、生产和应用过程中产品质量的统一控制有重要的意义。

1.2任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》（国标委发[2024]16号）的要求，由中国科学院半导体研究所、德州学院等单位负责起草、编制《金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法》，计划编号T-469，要求完成时间为2025年。

1.3项目承担单位概况

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称“半导体所”），开启了中国半导体科学技术的发展之路。

半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；两个院级实验室（中心）—中科院半导体材料科学重点实验室和中科院固态光电信息技术重点实验室。此外，还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、半导体照明研发中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和元器件检测中心。

中国科学院半导体材料科学重点实验室是1990年9月15日经中国科学院批准，1991年3月正式向国内外开放的院级重点实验室。

实验室面向国家重大需求，围绕国际半导体材料科学前沿和要解决的关键科学与技术问题，开展半导体材料与器件应用基础性研究，主攻方向是半导体功能材料与集成。经过多年的发展与自适应调整，形成了三个特色优势研究方向：（1）低维半导体光电子材料、器件与集成；（2）高温及高迁移率微电子材料与器件；

（3）单晶衬底及特殊环境半导体材料。

其中对金刚石单晶的制备进行了长期而大量的研究，积累了相当多的工艺和表征方面的经验。

1.4主要工作过程

本标准的制定/修订工作，由中国科学院半导体研究所牵头。

2024年4月-5月，中国科学院半导体研究所联络德州学院等并确定标准起草主要参与单位。

2024年6月，召开内部启动会，明确标准编制的任务分工，确定标准编制的进度计划。

2024年7月-9月，编写标准草案，实验测试和数据分析，并于2024年9月底形成了征求意见稿。

二、标准编制原则和标准主要内容及确定依据

以下按照标准中章条的顺序对标准的编写原则和确定标准中的主要内容（技

术指标、参数、公式、性能要求、实验方法、检验规则等）的论据（包括试验、统计数据）进行详细说明。采用的金刚石样品有两种：一种为高温高压的金刚石单晶衬底；一种为CVD制备的金刚石单晶衬底，为中国科学院半导体研究所利用CVD同质外延的金刚石单晶衬底。样品均为立方单晶片，表面机械抛光。

1.5编制原则

本标准按照《中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法》和GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》的要求编写。考虑用户的当前使用要求及以后技术发展的潜在使用要求。考虑国内生产企业的生产现状及技术发展趋势。

1.6确定标准内容的依据

根据金刚石单晶的材料特性，采用干法刻蚀的方法进行测试金刚石单晶的位错密度。

1.7标准主要内容

本标准根据金刚石单晶的材料性能特点，并结合目前国内外其他单晶如蓝宝石位错密度的检测技术的研究水平，对金刚石单晶抛光片位错密度的测试原理、

测量精度保障、测量步骤等内容做出了规定。

1.7.1适用范围

本标准定性的提供了测量金刚石单晶抛光片位错密度测量方法。

1.7.