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《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》

编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的和意义

SiC5G

碳化硅（）半导体材料是继硅材料后新近发展起来的新一代功率半导体，是

通信、电动汽车、轨道交通、新能源等产业发展的战略材料。美、欧、日等均将SiC半

导体材料纳入国家战略，我国也通过科技重大专项、战略性新兴产业发展规划等积极支

持SiC半导体材料研发、产业化。

SiC

堆垛层错是单晶中的一类微观缺陷，是正常原子堆垛顺序中引入错误堆垛顺序

的原子面而产生的面缺陷。层错在SiC衬底外延过程中会延伸到外延层中，并可能导致

器件漏电流增加、栅氧化层质量降低、容易击穿等一系列问题。因此，层错的检测和研

SiC

究对于单晶的品质判定和提升有重要的意义。

现有标准中关于SiC单晶抛光片的层错没有明确的统一检测方法，造成企业、科研

机构及研究学者对SiC单晶抛光片堆垛层错的识别和一致性判定存在困难。本标准的制

SiC

定填补了国内单晶抛光片堆垛层错测试技术领域的标准空白，有利于规范和统一

SiC单晶抛光片堆垛层错测试操作流程，有利于提升SiC单晶的产品品质，促进国内SiC

半导体材料在国内和国际市场的竞争力和影响力。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2024年第一批推荐性国家标准计划及相关

标准外文版计划的通知》(国标委发[2024]16号])的要求，由山东天岳先进科技股份有限

T-469

公司牵头负责制定了《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》，计划编号：，

项目周期为16个月。由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全

SAC/TC203/SC2

国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（）共同提

出并归口。

3、标准主编单位简况

山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，主营业务是宽禁带半导体碳化

硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。天岳先进

863“”

先后承担了国家项目、核高基重大专项、山东省自主创新重大专项等研发与产业

化项目近40项，开展了4-8英寸碳化硅衬底生长过程中的基础理论研究，解决了缺陷

控制、掺杂工程和精密加工的关键技术问题，实现了国家核心产业战略物资碳化硅材料

1

的自主可控。山东天岳历经十余年的不断创新和持续发展，现已成为国内碳化硅半导体

材料龙头企业，跻身国际碳化硅衬底领域第一梯队。公司获得了2014年山东省技术发

明一等奖、2017年济南市科技进步一等奖、2019年国家科学技术进步一等奖及2020年

“”

山东省科技进步一等奖，是国家单项冠军示范企业、专精特新重点小巨人企业、碳达

峰“领跑者”企业；拥有核心专利500余项，并成为国家知识产权示范企业。

天岳先进高度重视标准工作，由知识产权及标准部联合研发部门、质量部门组成标

准工作团队，共同致力于推动标准工作。公司共参与了20余项技术标准的制定及修订：

2SEMI72

包括项标准、项国家标准、项行业标准。

4、主要工作过程

4.1起草阶段

本标准的制定工作由山东天岳先进科技股份有限公司牵头。2024年4月9日，全国

半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会在济南主持召开了《碳化硅单晶

抛光