晶体中电子在电场和磁场中的运动.ppt

而在能带顶附近，电子的有效质量为负值，m*0。为正电荷e在电磁场中所受的力。所以，在有电磁场存在时，近满带的电流变化就如同一个带正电荷e，具有正有效质量?m*?的粒子一样。电子的准经典运动：第29页,共56页，星期六，2024年，5月结论：当满带顶附近有空状态k时，整个能带中的电流以及电流在外电磁场作用下的变化，完全如同一个带正电荷e，具有正有效质量?m*?和速度v(k)的粒子的情况一样。我们将这种假想的粒子称为空穴。空穴导电性：满带中缺少一些电子所产生的导电性；

电子导电性：导带底有少量电子所产生的导电性。引入空穴概念后，在金属自由电子论中所无法解释的正Hall系数问题，就很容易解释了。在金属中参与导电的载流子既可以是电子，也可以是空穴。空穴是一个带有正电荷，具有正有效质量的准粒子。它是在整个能带的基础上提出来的，它代表的是近满带中所有电子的集体行为，因此，空穴不能脱离晶体而单独存在，它只是一种准粒子。第30页,共56页，星期六，2024年，5月二、导体、绝缘体和半导体导带空带空带价带价带}Eg}Eg导体非导体半导体绝缘体{第31页,共56页，星期六，2024年，5月非导体：电子刚好填满能量最低的一系列能带，而能量再

高的各能带都是没有电子填充的空带。导体：电子除填满能量最低的一系列能带外，在满带和

空带间还有部分填充的导带。半导体：其禁带宽度一般较窄。

常规半导体：如Si：Eg~1.1eV；

Ge：Eg~0.7eV；GaAs：Eg~1.5eV

宽带隙半导体：如?－SiC：Eg~2.3eV；

4H－SiC：Eg~3eV绝缘体：禁带宽度一般都较宽，Eg几个eV。

如?－Al2O3：Eg~8eV；NaCl：Eg~6eV。第32页,共56页，星期六，2024年，5月半金属：介于金属与半导体之间的中间状态。

电子密度：As：~2.1?1020cm-3;Sb：~5.7?1019cm-3;

Bi：~2.7?1017cm-3;Cu：~8.45?1022cm-3

电阻率：Bi：??c127?10-6(??cm)；?c100?10-6(??cm)

Sb：??c29.3?10-6(??cm)；?c38.4?10-6(??cm)

Cu：1.55?10-6(??cm)；Al：2.5?10-6(??cm)由于半导体材料的能隙较窄，因而在一定温度下，有少量电子从价带顶跃迁到导带底，从而在价带中产生少量空穴，而在导带底出现少量电子。因此，在一定温度下，半导体具有一定的导电性，称为本征导电性。电子的跃迁几率~exp(-Eg/kBT)，在一般情况下，由于EgkBT，所以，电子的跃迁几率很小，半导体的本征导电率较低。T升高，电子跃迁几率指数上升，半导体的本征电导率也随之迅速增大。第33页,共56页，星期六，2024年，5月在金属中，其导带部分填充，导带中有足够多的载流子（电子或空穴），温度升高，载流子的数目基本上不增加。但温度升高，原子的热振动加剧，电子受声子散射的几率增大，电子的平均自由程减小。因此，金属的电导率随温度的升高而下降。T?半导体金属如果半导体中存在一定的杂质，其能带的填充情况将有所改变，可使导带中出现少量电子或价带中出现少量空穴，从而使半导体有一定的导电性，称为非本征导电性。绝缘体的带隙宽，在一般情况下，绝缘体没有可观察到的导电性。第34页,共56页，星期六，2024年，5月三、几个实例碱金属晶体结构：体心立方（bcc）结构，每个原胞中

有一个原子。碱金属原子基态：内壳层饱和，最外层的

ns态有一个价电子。Li：1s22s1；Na：1s22s22p63s1等。

由N个碱金属原子结合成晶体时，原子的内层电子刚好

填满相应的能带，而与外层ns态相应的能带却只填充了

一半。因此，碱金属是典型的金属导体。贵金属（Cu、Ag和Au）的情况（fcc结构）与碱金属相

似，也是典型的金属导体。第35页,共56页，星期六，