半导体器件基础.ppt

随着扩散运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐增大；随着漂移运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐减小。到达平衡时，扩散电流＝漂移电流PN结中总电流＝0空间电荷区的宽度也达到稳定——形成PN结PN结的单向导电特性：加正向电压（正偏）——P区接电源正极，N区接电源负极，则电源产生的外电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，PN结变窄，表现为很小的电阻，形成较大正向电流（多数载流子形成的扩散电流），PN结处于正向导通状态。加反向电压(反偏)——N区接电源正极，P区接电源负极，则电源产生的外电场与PN结的内电场方向相同，增强了内电场，PN结变宽，表现为很大的电阻，有较小的反向电流（少数载流子形成的漂移电流），PN结处于反向截止状态。PN在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。注：当反向电压增大到一定程度，反向电流会突然增大，PN结被电击穿，失去单向导电性。如果没有适当的限流措施，PN结会被热烧毁。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN结导通（相当开关闭合）；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流，PN结截止（相当开关断开）。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性（开关特性）。综上所述半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。半导体具有热敏、光敏、杂敏等特性。常用的半导体材料是硅和锗，并被制作成晶体。半导体导电时有两种载流子（自由电子和空穴）参与形成电流。在纯净的半导体中掺入不同的微量杂质，可以得到N型半导体（电子型）和P型半导体（空穴型）。P型半导体和N型半导体相连接在结合处形成PN结，PN结的基本特性是具有单向导电性。010203小结二、半导体二极管及其特性半导体二极管，也叫晶体二极管。它由一个PN结构成，具有单向导电性，是整流电路的核心器件。几种常见二极管的外形二极管的结构及电路符号二极管=PN结+管壳+引线1、正向导通特性：正向电压达到一定程度（硅二极管为0.6V,锗二极管为0.2V），二极管导通，正向电流增加很快，导通时正向电压有一个很小的变化，就会引起正向电流很大的变化，两引脚之间的电阻很小，相当于开关接通。二极管在电路中受外加电压控制共有两种工作状态：正向导通和反向截止。二极管的特性——单向导电性STEP1STEP2STEP3给二极管加反向电压，则处于截止状态，二极管两引脚之间的电阻很大，反向电流很小，相当于开关断开。当反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小基本保持不变，所以通常把反向电流又称为反向饱和电流，但反向电流会随温度的升高而增长很快。硅二极管的反向电流只有锗二极管的几十分之一或几百分之一，所以硅管的温度稳定性比锗管好。2、反向截止特性：因此二极管工作时，要求承受的反向电压应小于其反向击穿电压的一半。02当所加的反向电压增大到一定数值时，反向电流迅速增大，这种现象称为反向击穿，二极管失去单向导电性，发生击穿时的反向电压叫反向击穿电压。此时如果没有适当的限流措施，因电流过大会使二极管过热而被烧毁。013、二极管反向击穿：01040203按材料分：可分为硅二极管和锗二极管。硅二极管的正向压降约为0.6V，正、反向电阻比锗二极管大，反向电流比锗二极管小。锗二极管的正向压降约为0.2V。二极管的种类按用途分：整流二极管、稳压二极管、光电二极管、变容二极管、发光二极管、开关二极管等。稳压管的一种实物图黑头一侧为负极电路符号稳压管工作在反向击穿区几种普通发光二极管实物图长脚为正极大头为负极电路符号接入电路前，必须判别二极管的极性、质量的好坏，然后正确的接入电路中。1识别二极管的型号，注意二极管的正向电流和反向电压峰值不能超过所允许的标准值。2安装二极管时，应尽量远离发热器件。大功率的二极管应加装散热器。3不同用途之间的二极管不宜代用，硅二极管和锗二极管之间也不能代用。4二极管的使用小结二极管是由一个PN结构成的，具有单向导电性（开关特性），不同类型的二极管具有不同的功能和用途。三、半导体三极管及其特性半导体三极管，也叫晶体三极管由两个PN结组成，具有放大作用，是放大电路的核心器件，由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，三极管还被称为双极型晶体管（简称BJT）。几种常见三极管的实物外形大功率三极管功率三极管普通塑封三极管半导体器件基础半导体基本知识半导体二极管半导体三极管一、半导体基本知识半导体定义在物理学中，根据材