春季学期微电子器件基础第四章.ppt

4.7.1耿氏（Gunn)效应4.7耿氏效应、微分负阻理论、耿氏微波二极管V负极正极N型砷化镓砷化镓内电场强度时，通过的电流形成1GHz-1THz的振荡。第61页,共75页，星期六，2024年，5月砷化镓能带结构4.7.2微分负阻理论（RWH理论）0.29能谷1能谷2[100]LXΓ[111]3210-2第62页,共75页，星期六，2024年，5月微分负阻（NDR)理论（RWH理论）砷化镓体内达到负微分区电场强度时，能谷1电子发射或吸收光学波声子，转移到能谷2，电子有效质量增加，平均漂移速度降低，迁移率降低，电导率下降，出现负微分电导（NDR)或负微分迁移率。ΓL能谷1能谷2电子发射光学声子转移到能谷2电子吸收光学声子转移到能谷2砷化镓导带Ridley、Watkins、HilsumNDR：NegativeDifferentialResistance第63页,共75页，星期六，2024年，5月设能谷1电子浓度、能谷2电子浓度，N型砷化镓电导率，导带电子电流密度，第64页,共75页，星期六，2024年，5月当，当，正微分电导区正微分电导区NRD当，第65页,共75页，星期六，2024年，5月能谷1和能谷2能量间隔比大得多；禁带宽度大于能谷1和能谷2的能量间隔；能谷2状态密度远大于能谷1;能谷2电子有效质量远大于能谷1电子有效质量，能谷2电子迁移率远小于能谷2电子迁移率；能谷1中，电子能量随电场强度增加很快增加。形成负微分电导(NRD)的条件以RWH为原理的器件称为转移电子器件(TED)，Gunn二极管是其中一种。TED——TransferredElectronDevices第66页,共75页，星期六，2024年，5月4.7.4耿氏（Gunn)微波二极管结构砷化镓接触平面结构接触砷化镓砷化镓台面结构接触接触砷化镓砷化镓夹层结构砷化镓砷化镓接触接触砷化镓金属层砷化镓第67页,共75页，星期六，2024年，5月工作原理畴形成畴成长畴稳定畴消失(电源负极到正极）(畴内电场强度）+-畴（高阻区）N砷化镓第68页,共75页，星期六，2024年，5月畴形成阴极附近存在局部高阻区，外电压下，高阻区内电场强度比区外高，若达到，高阻区内部分电子从能谷1转移到能谷2。+-A能谷2能谷10.29eVXL局部高阻区N砷化镓-负微分电导区阈值电压第69页,共75页，星期六，2024年，5月高阻区外电子漂移速度高于区内，高阻区靠正极侧出现电子缺少，形成电离施主层。高阻区靠负极侧形成电子积累层，积累层与电离施主层组成偶极畴，使高阻区附加与外电场同方向的电场。偶极畴内电场强度高于畴外，又称高场畴。电子积累层+-电离施主层畴内高阻区+-偶极畴（高场畴）+-A正极负极高阻区第70页,共75页，星期六，2024年，5月+---+++-+-----+++++-t1t2单位面积电荷密度随时间变化t畴内外电场强度畴内电场强度随时间增强，更多能谷1电子转移到能谷2，畴内电子漂移速度进一步降低，与畴外电子速度差别更大，积累层电子浓度和电子耗尽层宽度增加，畴内电场强度增加，电子漂移速度不断下降，畴向正极运动过程中，积累层电子浓度、耗尽层宽度不断增加，畴不断加宽。畴成长时间位置电子漂移速度第71页,共75页，星期六，2024年，5月畴稳定一定外加电压下，半导体内总电场强度一定。畴内电场强度不断增加时，畴外电场强度不断降低。当畴内电场强度超过微分负电导区，畴内电子漂移速度与畴外电子漂移速度相等时，畴达到稳定，畴内外电子以相同漂移速度向正极漂移（渡越）。积累层+-耗尽层高阻区+---畴稳定时，畴外电场强度--畴稳定时，畴内电场强度第72页,共75页，星期六，2024年，5月稳定畴漂移到正极，电离施主被电子中和，畴内电场强度降低，畴外电场强度上升，畴内外电子漂移速度都增大，电流上升，最后畴消失，电流最大。负极附近又形成新畴，如此重复，形成耿氏振荡。畴消失+-积累层耗尽层高阻区第73页,共75页，星期六，2024年，5月稳定畴厚度耿氏二极管振荡频率稳定畴外电场强度半导体长度稳定畴内电场强度由电压分配