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幅员设计规那么;幅员概述;幅员概述;
举例：工艺结构;TSMC0.35umCMOS工艺定义的全部工艺层;FeaturesizeL=0.18um
VDD1.8V/2.5V
DeepNWELLtoreducesubstratenoise
MIMcapacitor(1fF/um^2)
6Metal1Poly
Polycideresistor(7.5Ohm/sq)
HighN/Pimplantresistor(59Ohm/sq,133Ohm/sq)
M1-M5(78mOhm/sq)Thick-top-metal(18mOhm/sq)
;设计规那么(designrule);两种规那么：
(a)以λ(lamda)为单位的设计规那么—相对单位
(b)以μm〔micron)为单位的设计规那么—绝对单位
如果一种工艺的特征尺寸为Sμm,那么λ=S/2μm，选用λ为单位的设计规那么主要与MOS工艺的成比例缩小有关。;1、最小宽度(minWidth)
最小宽度指封闭几何图形的内边之间的距离
;
;设计规那么(designrule);
TSMC_0.35μmCMOS工艺幅员
各层图形之间的最小间距;设计规那么;
TSMC_0.35μmCMOS工艺幅员
各层图形之间最小交叠;设计规那么举例;
设计规那么举例;tf文件(TechnologyFile)和display.drf文件;Tfdisplay;;DRC〔设计规那么检查DesignRuleCheck〕;LayerProcessing〔层处理命令〕;LayerProcessing〔层处理命令〕;;RelationalCommands〔关系命令〕;内切;SizingCommands〔尺寸命令〕;SelectionCommands〔选择命令〕;gate=geomAnd(polydiff);LayerProcessing〔层处理命令〕;LayerProcessing〔层处理命令〕;StorageCommands〔存储命令〕;DRC(DesignRuleCheck);槽口;DRC(DesignRuleCheck)的命令;DRC规那么文件;DRC规那么文件;DRC规那么文件;DRC规那么文件;DRC规那么文件;DRC规那么文件;DRC规那么文件
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