数字电子技术基础：集成逻辑门电路PPT教学课件.pptx

模块二集成逻辑门电路数字电子技术基础

由具体器件构成的能够实现基本和常用逻辑关系的电子线路，称为逻辑门电路。常用的门电路都是小规模集成电路，从电路结构和实现的工艺来看，具有代表性的是TTL门电路和CMOS门电路两大类。尽管目前数字电路中集成逻辑门电路占据了主导地位，但是分立元件门电路结构简单，便于分析工作原理，有助于了解集成逻辑门电路的内部结构及其特性。下面先来讨论由分立元件构成的门电路。序言

分立元件门电路TTL集成逻辑门电路CMOS集成逻辑门电路集成门电路应用注意事项目录CONTENTS1234Multisim10的基本操作5

分立元件门电路1晶体管的开关特性基本晶体管门电路

一、晶体管的开关特性在电路中，理想开关具有以下特点：开关闭合时，开关两端电压为0；开关断开时，其流过的电流为0，开关两端间呈现的电阻为无穷大，且开关的转换在瞬间完成。理想开关的特性，我们可以用逻辑变量“1”和“0”来表示。分立元件门电路中的晶体管一般都工作在开关状态，导通时，相当于开关闭合；截止时，相当于开关断开。半导体二极管、三极管和MOS管则是构成这种电子开关的基本开关元件。小知识

一、晶体管的开关特性1、二极管的开关特性（1）静态特性：二极管是一种非线性器件，其电路符号及伏安特性曲线如图2-1所示。图2-1二极管的电路符号及伏安特性曲线

一、晶体管的开关特性1、二极管的开关特性（1）静态特性：可以把二极管当作开关来使用正是利用了二极管的单向导电性。从如图2-1(b)所示的二极管的伏安特性曲线可见，当正向电压较小时，正向电流极小，几乎为零，这一部分称为死区，相应的电压称为死区电压(也称阈值电压或门槛电压)。当外加正向电压大于死区电压时，正向电流就会急剧增大，二极管呈现很小的电阻而处于导通状态，此时相当于开关闭合。当二极管两端加上反向电压时，在开始的很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流在一定电压范围内极小，且不随反向电压而变化，二极管处于截止状态，此时相当于开关断开。其开关特性等效电路如图2-2所示。

一、晶体管的开关特性1、二极管的开关特性（1）静态特性：若二极管反向电压加到一定数值时，反向电流会急剧增大，即发生了反向击穿。对于普通的二极管，被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，从而不能恢复原来的性能，二极管也就失去了单向导电性。图2-2二极管的开关特性等效电路

一、晶体管的开关特性1、二极管的开关特性（2）动态特性：通常情况下，二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间，不能像理想开关那样瞬间完成，而且从导通变为截止所需的时间更长一些。一般把二极管从导通到截止所需的时间称为反向恢复时间（tre）。若输入信号频率过高，负半周宽度小于tre时，二极管会双向导通，失去单向导电作用。因此，高频应用时需要考虑此参数的影响。

一、晶体管的开关特性2、三极管的开关特性（1）静态特性：三极管电路及伏安特性曲线如图2-3(a)、(b)所示，从特性曲线上可以看出，三极管有三个工作区：放大区、饱和区、截止区。图2-3三极管的电路符号及伏安特性曲线

一、晶体管的开关特性2、三极管的开关特性（1）静态特性：①截止区：三极管工作在截止区的条件是uBEUTH，UTH为三极管的导通电压。当三极管发射结电压uBEUTH时，iB和iC均近似为0，三极管的集电极和发射极之间相当于开关断开，如图2-4(a)所示。图2-4三极管开关特性等效电路图

一、晶体管的开关特性2、三极管的开关特性（1）静态特性：②饱和区：当三极管发射结电压uBEUTH时，开始脱离截止状态，进入放大状态。三极管饱和的条件是iBIBS，其中，IBS≈UCC/(βRC)为临界饱和电流。在饱和区，三极管的发射结正偏，集电结正偏，集电极和发射极间电压为反向饱和电压UCES(0.2～0.3V)。饱和越深，UCE越小。三极管的集电极和发射极间相当于短路状态，如图2-4(b)所示。由此可见，三极管相当于一个由基极电流控制的开关。

练一练三极管电路如图25所示。若三极管导通电压为0.5V，饱和时UBE=0.7V，UCES=0.3V。当输入电压uI分别为0.3V和10V时，三极管的工作状态处于哪个区域？对应的输出电压uO为多少？图2-5三极管电路

练一练图2-6三极管等效电路

一、晶体管的开关特性2、三极管的开关特性（2）动态特性：三极管的开关过程就是管子在饱和与截止两种状态之间的相互转换，同样需要一定的时间才能完成。如图2-7（a）所示，在三极管输入端加入一个数字脉冲信号，则输出电流iC和输出电压uO均滞后于输入电