T ZOIA 30001—2022 MEMS高深宽比结构深度测量方法 光谱反射法.pdfVIP

ICS31.260

CCSL50

ZOIA

中关村光电产业协会团体标准

T/30001—2022

MEMS高深宽比结构深度测量方法光谱反

射法

DepthmeasurementofMEMShighaspectratiostructures-Opticalspectral

reflectometrymethod

2022-12-29发布2022-12-29实施

中关村光电产业协会发布

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测量原理1

5测量设备2

5.1概述2

5.2宽光谱光源2

5.3LED光源2

5.4相机2

5.5光谱仪2

5.6显微物镜2

5.7分光棱镜2

5.8准直镜2

6测量环境要求2

7测量方法3

7.1概述3

7.2测量位置选择3

7.3测量步骤3

8测量结果的不确定度评定4

8.1A类不确定度4

8.2B类不确定度4

8.3合成相对不确定度5

8.4扩展相对不确定度5

9测试报告5

参考文献6

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中关村光电产业协会提出。

本文件由中关村光电产业协会归口。

本文件起草单位：中国科学院微电子研究所、中关村光电产业协会、天津大学、北京绿色制造产业

联盟、凌云光技术股份有限公司、北京大学、中国计量科学研究院、北京总部企业协会。

本文件主要起草人：陈晓梅、霍树春、卢永红、胡春光、杨艺、曲扬、杨芳、施玉书、马晓雪、谷

焱绯。

MEMS高深宽比结构深度测量方法光谱反射法

1范围

本标准规定了MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量的测量原理、测量设备、测量要求、测量方法、

测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内容。

本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结构包括但不限于单体

和阵列的沟槽、柱和孔等。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T26111-2010微机电系统（MEMS）技术术语

SJ/T11707-2017硅通孔几何测量术语

3术语和定义

GB/T26111-2010、SJ/T11707-2017界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

高深宽比highaspectratio

深度值与宽度值之比≥10。

4测量原理

光谱反射法测量结构深度是基于反射干涉光谱模型，法向入射的宽光谱光束由高深宽比结构的上

表面和底部反射并发生干涉，在半导体基材料折射系数和空气折射率一定的条件下，利用反射干涉光谱

模型解算出结构深度所对应的光学厚度，光学厚度除以空气折射率得到结构深度值。

注：该方法的优点是无损、非接触，单次测量即可得到高深宽比结构的深度值。

以高深宽比沟槽为例，光在高深宽比沟槽结构垂直入射和反射示意见图1。

图1光在高深宽比沟槽结构垂直入射和反射