周围第01章晶体二极管.ppt

载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。扩散电流密度:扩散与扩散电流N型硅光照n(x)p(x)载流子浓度xnopo1.2PN结多子：多子：空穴少子：自由电子少子：在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:自由电子空穴因浓度差空间电荷区形成内电场?内电场阻止多子扩散?内电场促使少子漂移,而少子漂移可削弱内电场最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区?PN结的形成多子：空穴多子：自由电子内电场方向少子：自由电子少子：空穴内电场方向PN结的形成空间电荷区（耗尽层）对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差VB越高，阻挡层宽度l0越小。内建电位差：阻挡层宽度：室温时锗管VB?0.2~0.3V硅管VB?0.5~0.7V1.2.2PN结的伏安特性PN结——单向导电特性P+N内建电场Elo+-VPN结正偏阻挡层变薄内建电场减弱多子扩散少子漂移多子扩散形成较大的正向电流IPN结导通I电压V?电流I??PN结——单向导电特性P+N内建电场Elo-+VPN结反偏阻挡层变宽内建电场增强少子漂移多子扩散少子漂移形成微小的反向电流IRPN结截止IRIR与V近似无关。温度T?电流IR??结论：PN结具有单方向导电特性。PN结——伏安特性方程式PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：热电压?26mV（室温）其中：IS为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。正偏时：反偏时：PN结——伏安特性曲线ID(mA)V(V)VD(on)-ISSiGeVD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN结VD(on)=0.25V锗PN结IS=(10-6~10-8)AVVD(on)时随着V?正向R很小I??PN结导通；VVD(on)时IR很小(IR?-IS)反向R很大PN结截止。温度每升高10℃，IS约增加一倍。温度每升高1℃，VD(on)约减小2.5mV。1.2.3PN结的击穿特性|V反|?=V(BR)时，?IR急剧???，?PN结反向击穿。雪崩击穿齐纳击穿PN结掺杂浓度较低(lo较宽)发生条件外加反向电压较大(6V)形成原因:碰撞电离。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因:场致激发。发生条件PN结掺杂浓度较高(lo较窄)外加反向电压较小(6V)因为T??载流子运动的平均自由路程??V(BR)?。击穿电压的温度特性雪崩击穿电压具有正温度系数。齐纳击穿电压具有负温度系数。因为T??价电子获得的能量??V(BR)?。稳压二极管VZID(mA)V(V)IZminIZmax+-VZ利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。要求：IzminIzIzmax1.2.4PN结的电容特性势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。势垒电容CT扩散电容CD阻挡层外（P区和N区）贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。CT(0)CTV0xn少子浓度x0-xpP+NPN结电容PN结反偏时，CTCD，则Cj≈CTPN结总电容：Cj=CT+CDPN结正偏时，CDCT，则Cj≈CD故：PN结正偏时，以CD为主。故：PN结反偏时，以CT为主。通常：CD≈几十PF~几千PF。通常：CT≈几PF~几十PF。1.3晶体二极管电路分析方法晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：适于任一工作状态的通用曲线模型便于计算机辅助分析的数学模型直流简化电路模型交流小信号电路模型电路分析时采用的数学模型—伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS—体电阻+引线接触电阻+