大规模集成电路基础.ppt

*与或非逻辑ABCDY00001000110010100110010010101101101011101000110011101011011011000110101110011110函数式形如：Y=AB+CDABCDY逻辑符号：A与B等于1，或者C与D等于1，Y等于0。真值表：异或的逻辑式：同或的逻辑式：Y=AB+ABY=AB+AB*电阻-晶体管逻辑(RTL)或非门只要有一个输入信号为高电平，输出为低电平。其输出低电平约为Vol=0.2V级联使用时输出高电平Voh=1V特点：电路的速度较慢，负载能力和抗干扰能力较差。*二极管-晶体管逻辑(DTL)与非门只要有一个输入信号为高电平，输出为高电平。当所有输入都是高电平是，输出为低电平。特点：提高了负载能力和抗干扰能力，但电路的速度慢。*晶体管-晶体管逻辑(TTL)---速度和延迟功耗提高发射极耦合逻辑(ECL)----器件只工作在截止区和线性区，不进入饱和区，是非饱和型逻辑电路。速度快、逻辑功能强、抗辐射性能好，但功耗大。集成注入逻辑(I2L)----集成密度高、功耗低、功耗延迟积小、成本低，可制作高性能、低成本的数字/模拟兼容集成电路。*高速、低功耗和高集成密度（门/mm2)是数字集成电路所追求的三个主要目标*集成电路中的双极晶体管单击此处添加小标题双极数字集成电路单击此处添加小标题双极模拟集成电路单击此处添加小标题*双极模拟集成电路一般分为：线性电路（输入与输出呈线性关系）：运算放大器、直流放大器、音频放大器、中频放大器、宽带放大器、功率放大器、稳压器等。非线性电路：对数放大器、电压比较器、调制或解调器、各类信号发生器。接口电路：如A/D转换器、D/A转换器、电平位移电路等*半导体集成电路概述双极集成电路基础MOS集成电路基础*3.3MOS集成电路基础以MOS场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。CMOS具有功耗低、速度快、噪声容限大、可适应较宽的环境温度和电源电压、易集成、可等比例缩小等一系列优点，CMOS技术的市场占有率超过95%。3.3.1集成电路中的MOSFET3.3.2MOS数字集成电路3.3.3CMOS集成电路*3.3.1集成电路中的MOSFETMOSFET按沟道导电类型：PMOS/NMOS/CMOS按栅极材料分类：铝栅和硅栅*为了在同一硅衬底上同时制作出P沟和N沟MOSFET，必须在同一硅衬底上分别形成N型和P型区域，并在N型区域上制作PMOSFET，在P型区域上制作NMOSFET。CMOS由PMOSFET和NMOSFET串联起来的一种电路形式。*基本电路结构：CMOS*集成电路中的MOSFET单击此处添加小标题MOS数字集成电路单击此处添加小标题CMOS集成电路单击此处添加小标题*MOS开关与反相器是MOS数字集成电路的基本单元，数字电路中的任何复杂逻辑功能均可分解为“与”“或”“非”操作。1.MOS开关MOSFET处于大信号工作时，有导通和截止两种状态，因此可作为电子开关。上拉开关下拉开关传输门*I为输入端，接驱动信号G为控制端，接控制信号Vo=VI非饱和区工作VI≥VG-VT沟道夹断O为输出端，接容性负载当控制端加上一个足够高的固定电压，在稳定情况下，直流输出电压Vo与直流输入电压VI的关系为MOS直流传输特性*2.反相器输出信号与输入信号反相，能执行逻辑“非”功能。可分为静态反相器和动态反相器。驱动元件：增强型MOSFET,以便极间直接耦合。负载元件：电阻负载增强负载耗尽负载互补负载有比反相器/无比反相器反相器*评价MOS反相器性能的主要指标：01输出高电平02输出低电平03反相器阈值电压04直流噪声容限05直流功耗06瞬态特性07芯片面积08工艺难度和兼容性09稳定性和瞬态功耗等10*3.开关串/并联的逻