半导体制程培训CMP和蚀刻.ppt

半导体制造工艺流程Thankyou!YoursitehereLOGO半导体制造工艺流程让我们和迈博瑞一起成长作者：Richard_Liu半导体制造工艺流程*半导体制造工艺流程——刻蚀刻蚀（Etch），它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。*实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展。*广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀半导体制造工艺流程①干法刻蚀利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）。②湿法刻蚀利用腐蚀性液体将不要的材料去除。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀。湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。刻蚀种类半导体制造工艺流程优点：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点：成本高，设备复杂。干法刻蚀方式：①溅射与离子束铣蚀②等离子刻蚀（PlasmaEtching）③③高压等离子刻蚀④高密度等离子体（HDP）刻蚀⑤反应离子刻蚀（RIE）干法刻蚀半导体制造工艺流程湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀。优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液。湿法刻蚀半导体制造工艺流程同性刻蚀半导体制造工艺流程什么是PlasmaPlasma就是等离子体(台湾一般称为电浆),由气体电离后产生的正负带电离子以及分子,原子和原子团组成.只有强电场作用下雪崩电离发生时,Plasma才会产生.气体从常态到等离子体的转变,也是从绝缘体到导体的转变.Plasma一些例子:荧光灯,闪电等.energygasplasmaeeee半导体制造工艺流程半导体制造工艺流程等离子刻蚀过程半导体制造工艺流程——CMP化学机械平坦化化学机械平坦化（Chemical-MechanicalPlanarization,CMP），又称化学机械研磨（Chemical-MechanicalPolishing），是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或其它衬底材料进行平坦化处理。半导体制造工艺流程CMP半导体制造工艺流程1、平坦化有关的术语；2、传统的平坦化技术；3、化学机械平坦化机理；4、化学机械平坦化应用。半导体制造工艺流程未平坦化平滑处理局部平坦化全局平坦化半导体制造工艺流程p+硅衬底p–外延层场氧化层n+n+p+p+n-阱ILD氧化硅垫氧氧化硅Metal氮化硅顶层栅氧化层侧墙氧化层金属化前氧化层PolyMetalPolyMetal单层金属IC的表面起伏剖面半导体制造工艺流程SiO2反刻后的形貌光刻胶或SOGSiO2平坦化的材料不希望的起伏传统的平坦化技术——反刻半导体制造工艺流程BPSG回流的平滑效果BPSG淀积的层间介质传统的平坦化技术——玻璃回流半导体制造工艺流程ILD-1ILD-2淀积3)ILD-1SOG1)ILD-1烘烤后的SOG2)传统的平坦化技术——旋涂膜层半导体制造工艺流程有两种CMP机理可以解释是如何来进行硅片表面平坦化的:1)表面材料与磨料发生化学反应生成一层相对容易去除的表面层；2）这一反应生成的硅片表面层通过磨料中研磨机和研磨压力与抛光垫的相对运动被机械地磨去。化学机械平坦化机理半导体制造工艺流程硅片磨头转盘磨料磨料喷头抛光垫向下施加力化学机械平坦化原理图半导体制造工艺流程研磨液磨料是平坦化工艺中研磨材料和化学添加剂的混合物，研磨材料主要是石英，二氧化铝和氧化铈，其中的化学添加剂则要根据实际情况加以选择，这些化学添加剂和要被除去的材料进行反应，弱化其和硅分子联