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β相氧化镓单晶的宽波段三阶非线性光学性能及机制研究摘要
摘要
β相氧化镓（β-GaO）是超宽禁带半导体材料的典型代表，具有大禁带宽度
23
（~4.8eV）、低制备成本、与Ⅲ-Ⅴ族半导体晶格失配小等优点，在大功率电子器
件、日盲紫外探测器、高温传感器等领域具有重大应用潜力。此外，β-GaO
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